搜索结果: 1-15 共查到“晶体管”相关记录430条 . 查询时间(0.113 秒)
中国科学院物理研究所电压调控型磁子晶体管(图)
电压调控 磁子晶体管 电子器件
2024/3/16
磁子(Magnon)作为磁有序系统的元激发和携带角动量及相位信息的准粒子,是开发后摩尔时代波基计算(Wave based computing)及无焦耳热微电子器件的理想信息载体。磁子流的高效量子调控即是实现磁子集成电路的物理基础,也是研制磁子学(Magnonics)器件的难点和热点。2024年来研究人员提出了通过外磁场、微波电流、应力以及直流电流来实现磁子流的产生与调控,但这些常规调控方法由于在微...
有机发光晶体管(OLETs)是一种兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势,被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外,OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径,使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
中国科学院化学所在无铅钙钛矿的光致非易失性存储晶体管研究中取得进展(图)
无铅钙钛矿 晶体管 仿生电子器件
2023/12/25
有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注,2023年来钙钛矿场效应晶体管(PeFET)在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而,基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中,制约了人们进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
中国科学院新疆理化技术研究所专利:快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注,2023年来钙钛矿场效应晶体管(PeFET)在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而,基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中,制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
中国科学院新疆理化技术研究所专利:总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 量电离辐射 碳化硅 双扩散型晶体管 异常变化
2023/12/7
中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件(PDK)(图)
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日,在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议(CCF DAC)openDACS开源EDA专题论坛上,微电子所集成电路制造技术重点实验室(中国科学院)发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。