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搜索结果:
1-2
共查到
“
电离总剂量效应
”
相关记录2条 . 查询时间(0.148 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种多栅鳍式场
效应
晶体管
电离总剂量效应
的仿真分析方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
多栅鳍式
场效应晶体管
电离总剂量效应
仿真分析
2023/12/14
本发明涉及一种多栅鳍式场
效应
晶体管
电离总剂量效应
的仿真方法,该方法利用TCAD仿真软件,依据器件实际的工艺和结构特性,建立三维仿真结构;通过调用基本物理模型,计算器件基本工作特性;将基本特性仿真结果与试验结果对比,修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数,使仿真结果最大程度与试验结果拟合;再增加
电离总剂量
辐射
效应
模型,并设置模型和材料参数,计算器件的
总剂量
辐射损伤特性;将器件辐射损伤特性仿真结果...
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微电路FPGA的γ
电离总剂量效应
与加固技术
FPGA
电离总剂量
辐照效应
2009/2/7
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ
电离总剂量效应
,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片
电离总剂量效应
有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si)。对芯片内部结构进行了辐射
效应
分析,并提出一些加固方法提高器件的抗
总剂量
能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和...
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