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中国科学院深圳先进技术研究院研发出新型柔性铁电场效应晶体管（图）
铁电场效应晶体管 可穿戴设备 人工突触
2021/8/27
铁电场效应晶体管(FeFET)具有多种功能和可调谐特性，在低功耗传感器、非易失性数据存储以及新兴的人工突触等领域有广泛的应用前景。随着社会的高速发展，人们对柔性可穿戴设备有了更高的需求，对FeFET的柔性化提出了更高的要求。但目前柔性FeFET大都基于有机铁电材料，存在极化强度低、热稳定性差、能耗高等弊端。
有机发光场效应晶体管(OLET)作为一种同时兼具有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)两种功能的有机光电器件，具有制备工艺简单、集成度高、电流放大等优势，被认为是下一代变革性柔性显示技术和实现有机电泵浦激光的理想途径之一，其研究具有重要的科学和技术意义。但是，因为实现高性能OLET器件构筑的材料体严重缺乏，所以造成OLET器件，特别是高性能单组份OLET器件的发展严重滞后，限制了...
我校电子科学与工程学院万青教授课题组在多端口神经形态器件及其时空信息处理仿生方面取得最新进展，研究成果“Spatiotemporal Information Processing Emulated by Multiterminal Neuro-Transistor Networks”（基于多端口神经形态晶体管网络的时空信息处理仿生模拟）发表在《Advanced Materials》上。万青教授为该...
沈阳工业大学2020年硕士研究生入学考试加试自命题晶体管原理考试大纲。
高性能OLET器件的构筑需要同时具有高迁移率和强荧光的活性半导体材料，但是高迁移率和强荧光是一对矛盾体，很难实现二者在同一材料体系中的有效集成。鉴于此，在中国科学院先导项目和国家自然科学基金委支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室科研人员近年来在高迁移率发光材料方面开展了研究，提出了“蒽拓展并五苯类似物”的光电一体化分子设计思想，发展了系列具有优异高迁移率和发光性能的有机半导体材料体系（Nat...
新型钙钛矿是目前研究的热点材料之一，其相关研究在太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域取得了巨大的进展。基于钙钛矿材料的光电器件和电子器件制备工艺简单，易于大面积加工制造和集成到经典的电子器件中。但是，基于钙钛矿材料的场效应晶体管研究仍然较少，已报道的工作存在载流子迁移率较低、传输机理不明等问题。针对这一问题，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室的于伟利课题组采用空间限...
美国塔夫茨大学官网近日发布公告称，该校研究人员开发出一种由亚麻纤维制成的晶体管，利用这些晶体管制成的全柔性电子器件可编织成织物佩戴在皮肤上，甚至（理论上）可通过外科手术植入体内进行诊断监测。相关成果发表于《美国化学会—应用材料与界面》杂志。
紫外光电探测器在国防领域、电网安全监测、医学成像、海上搜救、环境与生化检测、森林火灾告警等诸多领域有重要应用，是世界各国竞相研发的焦点。近年来，中国科学院宁波材料技术与工程研究所曹鸿涛研究团队通过在耗尽型的SnOx/IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰p型PEDOT:PSS薄膜，实现了两端和三端器件的耦合，构建了高性能可见盲紫外光电探测TFTs。由于充分利用了两端（垂直方向内建电场，分离电荷）和三端器...
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展，相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparat...
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展，相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparat...
北京大学信息科学技术学院电子学系张志勇、彭练矛教授联合课题组在碳纳米管薄膜晶体管数字电路应用的探索中取得重要进展（图）
北京大学信息科学技术学院 张志勇 彭练矛 教授 碳纳米管 薄膜晶体管 数字电路应用
2019/5/21
半导体碳纳米管被认为是构建纳米晶体管的理想沟道材料，有望推动未来电子学的发展。在过去的二十多年间，基于碳管的器件和电路得到广泛研究，并在器件物理、性能研究探索、电路制备等领域取得了巨大进展。碳基电子学的进一步发展，特别是碳基集成电路的实用化推进，很大程度上依赖于大面积制备、高半导体纯度的高质量碳纳米管材料。构建碳基集成电路的理想材料是平行排列的高密度半导体碳纳米管阵列，但目前的制备技术仍难以实现。...
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第五章 金属半导体场效应晶体管。
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第四章 异质结双极型晶体管。
中国科学院物理研究所实现基于拓扑转换材料的电解质突触晶体管（图）
中国科学院物理研究所 拓扑转换材料 电解质 突触晶体管
2019/4/29
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心光物理重点实验室研究员金奎娟和中科院院士杨国桢领导的L03组一直致力于激光分子束外延方法制备高质量的钙钛矿异质结及其物性调控的研究，该课题组副研究员葛琛等通过离子液体调控LSMO薄膜实现了四个量级以上的电阻变化，并提出离子液体中的水与氧化物界面电化学离子交换过程起主要作用（Adv. Mater. Interfaces 2, 1500407 (2015...