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日前，西北工业大学柔性电子前沿科学中心黄维院士团队吴忠彬教授等人在垂直有机发光晶体管领域取得研究进展。他们成功地实现了高效率、低工作电压的垂直有机发光晶体管，在柔性主动显示和固态照明等领域展现了巨大应用潜力。相关研究成果（“Efficient and low-voltage vertical organic permeable base light-emitting transistors”）于2...
中国科学院国家纳米科学中心鄢勇课题组在金属纳米颗粒晶体管方面取得新进展（图）
鄢勇 金属纳米颗粒 晶体管
2021/3/10
电荷输运机制的研究是设计与构筑新型纳米电子器件的基础。有别于半导体器件中的电子信号，生命体内信息的处理往往基于复杂的离子和电子同时参与的物质输运过程。因此，揭示离子电荷与电子电荷耦合输运的基本规律，通过人工操控两种电荷之间的相互作用与输运过程以构筑纳米电子器件具有重要的科学意义、创新性与应用价值。在前期研究中，中国科学院国家纳米科学中心纳米系统与多级次制造重点实验室鄢勇研究员团队采用带电金属纳米颗...
中国科学院微电子研究所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展（图）
二硫化钼 负电容场效应 晶体管
2021/1/15
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移...
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了独立双栅非晶IGZO薄膜晶体管紧凑建模的最新研究成果。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因其极低的漏电流和低温工艺等特点，近些年在柔性显示、存储器和三维集成等方面愈发到关注。独立双栅（IDG）a-IGZO TFT由于其更大的开关比和对阈值电压的调控能力成为当前工业界的选择。要进一步评...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
中国科学院微电子研究所在氧化物电解质栅控晶体管研究取得进展（图）
氧化物 电解质 栅控晶体管
2020/11/16
当今世界信息技术突飞猛进，海量的数据对信息的快速实时处理提出了更高要求，实现这一目标的有效途径之一是开发具有边缘计算能力的智能感知系统，缓解数据传输带来的延迟与能耗，从而实现实时、高效的信息处理。电解质栅控晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，其结构与传统场效应晶体管类似。不同的是，电解质栅控晶体管采用含有可动离子（如H+, Li+等）的电解质材料代替二氧化硅作为栅介质层。在栅极电压作用下，可动离...
《印刷碳纳米管薄膜晶体管技术与应用》出版（图）
印刷 碳纳米管 薄膜晶体管技术 出版
2020/9/22
近日，由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究部研究员赵建文、崔铮主编的《印刷碳纳米管薄膜晶体管技术与应用》一书由高等教育出版社出版。
沈阳工业大学信息科学与工程学院2021年硕士研究生入学考试晶体管原理大纲。
复旦大学微电子学院江安全课题组研制出具有产业化前景的高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管（图）
复旦大学微电子学院 江安全 产业化前景 高密度 存算一体化 非易失性 铁电单晶畴壁 存储器 晶体管
2020/6/24
近期，复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器，采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合（图1），存储介质无缺陷、晶界和空洞等，突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前，相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...
单电子晶体管的制备与表征
单电子晶体管 双角度蒸发 约瑟夫森结 静电防护
2022/3/21
单电子晶体管是一种非常重要的器件，在量子计算、电荷探测领域具有重要应用。由于其尺寸极小，很容易受到静电的影响导致损坏，并且对于测试条件要求苛刻，制备与观测较为困难。本文用双角度蒸发的方法制备了SET，在稀释制冷机的10mK极低温度下，对SET的基本性能进行了测试和表征。针对制备、运输、测试以及安装的全流程提出了一整套静电防护方案。
北京大学信息科学技术学院电子学系孙伟研究员课题组基于DNA模板的高性能碳纳米管晶体管研究取得重要进展（图）
北京大学信息科学技术学院 电子学系 孙伟 DNA模板 高性能 碳纳米管 晶体管
2020/5/25
生物自组装结构具有精细的三维形貌，其关键结构参数小于光刻等传统纳米加工手段的分辨率极限。利用自组装生物分子作为加工模板，目前已实现金属材料、碳基材料、氧化物材料的可控形貌合成。然而，基于生物模板的电学器件的性能往往远落后于通过蚀刻或薄膜方法制备的同类器件，且缺乏长程取向规整性，因而制约了生物模板在高性能器件中的应用。为此，北京大学信息科学技术学院电子学系/北京大学碳基电子学研究中心、纳米器件物理与...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世（图）
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来，以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前，随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限，进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。
兰州交通大学模拟电子技术实验课件 实验2：晶体管单管共射放大电路实验。
二维半导体材料具有非零带隙、极限沟道厚度、高迁移率等特点，可以显著增加栅极调控能力，是有希望继续延伸摩尔定律的新型电子材料。然而，由于二维材料表面无悬挂键，无法利用传统原子层沉积工艺沉积高质量栅极介质层，导致界面态和等效氧化层厚度（EOT）远高于硅基CMOS晶体管。因此，开发针对二维材料的高质量、超薄、并且与大面积工艺兼容的介质层集成工艺，是二维电子器件应用的关键瓶颈之一。
山东协和学院模拟电子技术课件 晶体管的高频等效模型
山东协和学院 模拟电子技术 课件 晶体管的高频等效模型
2019/11/22
山东协和学院模拟电子技术课件 晶体管的高频等效模型。