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大规模生产超细聚苯胺纤维，可用于触觉有机电化学晶体管（图）
超细聚苯胺纤维 有机电化学 晶体管
2022/6/20
连续导电聚合物纤维(Conducting Polymer Fibers, CPFs)的发展对于从先进纤维器件到前沿织物电子器件的应用至关重要。连续导电聚合物纤维的使用需要较小的直径，以最大限度地提高其电活性表面、微结构取向和机械强度。然而，通常使用的湿法纺丝技术很难达到这一目标。
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层，成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响，对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明，在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能，所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示，该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
瞬时电离辐射效应 寄生效应 阱电势抬升 二次光电流
2022/3/25
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元，其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素。为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制，通过TCAD构建了40，90以及180nm3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真，得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件...
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
磷化铟高电子迁移率晶体管 二维电子气 电子束辐照 辐射加固
2022/3/17
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管（InPHEMT）外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果，本文采用气态源分子束外延法制备了系列InPHEMT外延结构材料。针对不同外延结构材料开展了1.5MeV电子束辐照试验，在辐照注量为2×1015cm–2条件下，并测试了InPHEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性，获得了辐照前后不同外延结构InPHEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变...
单电子晶体管的制备与表征
单电子晶体管 双角度蒸发 约瑟夫森结 静电防护
2022/3/21
单电子晶体管是一种非常重要的器件，在量子计算、电荷探测领域具有重要应用。由于其尺寸极小，很容易受到静电的影响导致损坏，并且对于测试条件要求苛刻，制备与观测较为困难。本文用双角度蒸发的方法制备了SET，在稀释制冷机的10mK极低温度下，对SET的基本性能进行了测试和表征。针对制备、运输、测试以及安装的全流程提出了一整套静电防护方案。
在二氧化硅衬底上依次真空沉积p-六联苯（p-6P）和酞菁铜（CuPc）构成双异质诱导层，研究了不同衬底温度下双异质诱导层对红荧烯薄膜形貌的影响，以及红荧烯分子在双异质诱导层上的生长过程.分析发现，第二诱导层酞菁铜的局部有序性对红荧烯薄膜的结晶度有直接影响.随着衬底温度的升高，
基于表面等离子共振效应的有机光敏晶体管
金纳米颗粒 表面等离子共振 有机光敏晶体管 光响应
2019/1/18
通过原位制备金纳米颗粒，利用表面等离子共振效应，在金纳米颗粒表面旋涂无可见光响应的聚合物获得了同时具有高迁移率（0.12 cm2·V-1·s-1）和高响应度（11.6 A/W）的有机光敏晶体管. 金纳米颗粒表面的化学修饰对提高器件性能起到关键作用. 基于表面等离子共振效应建立了一种利用无可见光响应（或弱可见光响应）有机半导体获得高性能有机光敏晶体管的方法.
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性
硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析
2016/7/15
利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于10dB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，...
微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性
硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析
2016/6/2
利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于10dB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，...
基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估
双极晶体管 理想因子 加速试验 贮存寿命
2015/10/27
提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验，分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据，利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命，并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明，晶体管PN结的理想因子退...
利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率
有机薄膜晶体管 表面形貌 迁移率 TPD
2014/3/15
通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm 并五苯掺杂的N，N’-二苯基-N，N’-二（3-甲基苯基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现：N，N’-二苯基-N，N’-二（3-甲基苯基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌，利于形成欧姆接触，从而改善器件性能，最终使优化器...
超薄EuF3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升
场效应晶体管 EuF3 修饰层
2014/3/16
采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极，制备了CuPc有机场效应晶体管，研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响。结果表明，EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时，接触电阻由23.65×105 Ω·cm减 至3.86×105 Ω·cm，使得器件载流子迁移率由1.5×10-3 cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3 cm2·V-1·s-1。 UPS测试结果表明，薄层EuF3在Ag与...