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本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...
存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分，在航天应用中需要有良好的抗辐射能力。阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，RRAM）是一种新型的非易失性半导体存储器，性能优良，但对其辐射效应的研究较少。本文侧重于在理论分析的基础上，结合60Coγ射线辐照试验得到的结果对RRAM的总剂量效应失效机理进行分析研究。首先，通过对RRAM中单个MOS（Metal-Oxide-Sem...
日前，通过近两年的努力，国内第一个低温可充气真空辐射系统由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)研制成功。
该低温测试系统由一室可靠性测试小组的刘刚、毕津顺、曾传滨等科研人员自行设计完成，其极限真空<10-7Pa，12小时静态漏气<0.1Pa，气体充气能力为1Pa—1MPa，液氮温度连续实验时间>5小时。
EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应
电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移
2011/8/19
建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统，利用60Co源在20 rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律，从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理，对抗辐射加固设计有重要意义。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2011/8/22
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点，开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究，获取器件效应损伤因子，以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明，无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究，稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照，即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应
60Coγ 剂量率 双极数模转换器
2009/11/3
为探索电离辐射对数模混合电路的影响，对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感，在大剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下，各参数变化显著，电路功能出现异常，表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后，结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。
部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
绝缘体上的硅 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层
2009/7/29
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术
FPGA 电离总剂量 辐照效应
2009/2/7
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应，试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响，在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小，为12.16 Gy(Si)；无偏置时FPGA失效阈最大，为33.2 Gy(Si)。对芯片内部结构进行了辐射效应分析，并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力，如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和...
不同设计参数MOS器件的射线总剂量效应
MOS晶体管 辐射效应 总剂量
2009/1/16
采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验，分别对比了不同宽长比（W/L）NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明，总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感；总剂量辐照...
剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响
功率MOSFET器件 γ射线 剂量率 总剂量效应
2009/1/16
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV2N6798和JANTXV2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中，选取钴-60γ射线，以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究，获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明，低剂量率更易引起器件损伤。