搜索结果: 1-14 共查到“金属氧化物半导体”相关记录14条 . 查询时间(0.184 秒)
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成，当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时，通过计算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值与暗场平均灰度值的差值，绘制光响应曲线，光响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为饱和输出，将该值除以转换增...
本发明涉及快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试板、互补金属氧化物半导体传感器样品和计算机组成，利用计算机上安装的读图软件采集大量暗场图像，将图像数据转换为灰度值随时间变化的信号；然后将所获得的灰度值随时间变化的像素信号重新排序，求出其梯度信息，再对像素信号的梯度信息进行滤波，将滤波后的梯度信号与原始的重新排序后的信号相结合，进行重建，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展（图）
金属氧化物 半导体 基等离激元学
2020/12/18
最近，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展，采用新发展的电子-质子协同掺氢策略，实现了类金属的超高自由载流子浓度，从而获得强且可调的等离激元效应。研究成果以“Hydrogen-Doping-Induced Metal-Like Ultrahigh Free-Carrier Concentrat...
一种基于金属氧化物半导体传感器的扇贝品质分析装置
金属氧化物 半导体传感器 扇贝品质分析装置
2023/2/17
本发明涉及一种基于金属氧化物半导体传感器的扇贝品质分析装置，包括样品室、测试室、真空泵；真空泵通过三号电磁阀与样品室连通，同时通过四号电磁阀与测试室连通；还包括压缩空气瓶，压缩空气瓶通过六号电磁阀与样品室连接，同时通过七号电磁阀与测试室连接。
由渔机所倪锦等发明的“一种基于金属氧化物半导体传感器的扇贝品质分析装置”已获得国家发明专利授权，专利授权号：ZL201710691661.7。该发明涉及一种基于金属氧化物半导体传感器的扇贝品质分析装置。针对单个传感器对于混合气体的选择性较差，本成果使用12个性能交叉的金属氧化物半导体气体传感器阵列，可以精确区分扇贝释放的不同气味特征，实现测试过程中温度和压力准确度的精确控制。该装置由样品室、测试室...
近日，复旦大学化学系邓勇辉教授受美国化学会权威综述性学术期刊《化学研究述评》（Accounts of Chemical Research）杂志主编Cynthia J. Burrows教授邀请撰写综述文章《富含sp2杂化碳的嵌段共聚物导向合成具有优异气敏特性的介孔金属氧化物》（“sp2-Hybridized Carbon-Containing Block Copolymer Templated Sy...
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5～3.3 V,...
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物半导体场效应管
2010/4/7
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器，这不仅有利于保...
多值互补金属氧化物半导体电路的开关级设计理论
半导体器件 逻辑电路
2008/9/19
该项研究提出了适用于MOS器件设计的代数系统-传输函数理论。在该理论中应用开关变量与信号变量分别描述电路中开关元件(MOS管)的开关状态与电压信号，并以此为出发点建立了CMOS电路开关级的代数系统。它能全面地描述电路在开关级的工作状态，因引可用于指导多值CMOS电路开关级的设计。作为对比，在传统的布尔代数与post代数中，变量通常用于描述电路中的信号(如高低电平)，而变量之间的与、或、非等基本运算...