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近日，华中科技大学光学与电子信息学院博士生关曜东和博后郭喆在新型陡坡晶体管领域取得新进展，利用电学切换的纳隙去构筑陡坡晶体管。此纳隙晶体管可以在高电流密度且跨越5个数量级的范围内获得15.9 mV dec−1的平均SS值。另外，该晶体管还具有接近零的泄漏电流、高导通电流以及双极型翻转等特点。相关成果以题为“Ferroelectric Nanogap-Based Steep-Slope ...
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
中国科学院微电子研究所在垂直沟道纳米晶体管研发方面获进展（图）
垂直沟道 纳米晶体管 集成电路
2022/8/31
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势，在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。
2022年7月29至31日，第四届全国有机场效应晶体管会议暨第二届柔性印刷光电材料与器件国际会议在湖南长沙举行。本次会议由中南大学主办，中南大学物理与电子学院承办，中南大学粉末冶金国家重点实验室、天津大学理学院/分子聚集态科学研究院、华南师范大学华南先进光电子研究院、长沙新一代半导体研究院和中南大学新能源与储能工程交叉学科共同协办。
场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...
2022年5月1日，云南大学陈建华副研究员、电子科技大学黄伟研究员，联合大连理工大学解兆谦教授、香港城市大学于欣格教授、Northwestern University 郑丁研究助理教授、Tobin J. Marks院士、 Antonio Facchetti院士在Nature Materials上发表了题为“Highly stretchable organic electrochemical tra...
大规模生产超细聚苯胺纤维，可用于触觉有机电化学晶体管（图）
超细聚苯胺纤维 有机电化学 晶体管
2022/6/20
连续导电聚合物纤维(Conducting Polymer Fibers, CPFs)的发展对于从先进纤维器件到前沿织物电子器件的应用至关重要。连续导电聚合物纤维的使用需要较小的直径，以最大限度地提高其电活性表面、微结构取向和机械强度。然而，通常使用的湿法纺丝技术很难达到这一目标。
2022年4月12日，复旦大学魏大程团队在Chemical Reviews（影响因子60.622）上在线发表题为“二维场效应晶体管传感器：通往商用化之路（Two-Dimensional Field-Effect Transistor Sensors: The Road toward Commercialization）”的综述论文，总结了二维场效应晶体管传感器的理论和实验进展，并评述了其在商业化进...
突触型光电晶体管能更好处理视觉信息 可用作自动驾驶车传感器
突触型光电晶体管 视觉信息 自动驾驶车 传感器
2023/1/4
据美国《每日科学》网站2022年4月4日报道，美国研究人员在节能型光电晶体管方面取得突破性进展，研制出一种新型突触型光电晶体管。这类设备有望帮助计算机在处理视觉信息时更像人脑，可用作自动驾驶车辆等的传感器。
芯片是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家安全的关键之一。在传统CMOS微缩可能面临终结的关键时刻，以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术，有望提供集成电路发展的新途径，是突破当前集成电路芯片领域存在的瓶颈的有效途径。其中，利用单个分子构建光电子元器件得到了广泛的关注。单分子器件可以将器件尺寸缩小至单分子水平，可以作为存储器、二极管、场效应晶体管及开关等，其中单分子...
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层，成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响，对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明，在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能，所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示，该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
瞬时电离辐射效应 寄生效应 阱电势抬升 二次光电流
2022/3/25
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元，其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素。为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制，通过TCAD构建了40，90以及180nm3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真，得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件...
有机发光场效应晶体管（OLET）作为一类光电子集成器件，在同一器件中集成了有机场效应晶体管（OFET）和有机发光二极管（OLED）两种器件功能，具有集成度高、集成工艺更简单等优势，在新型柔性显示和有机电泵浦激光等领域研究具有重要的科学和技术意义。在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的大力支持下，化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组近年来在OLET核心高迁移率发光有机半导体材料的制备（Nat.C...