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近日，南京大学物理学院、原子制造研究院张敏昊副研究员、宋凤麒教授课题组与华中科技大学卢兴教授课题组以及西安交通大学杨涛教授课题组等合作，基于Dy@C84团簇单分子晶体管电输运平台，结合理论计算分析，系统研究了单原子磁性的电调控。
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势，被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外，OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径，使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 量电离辐射 碳化硅 双扩散型晶体管 异常变化
2023/12/7
本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL...
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参...
中国科学院化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展（图）
半导体材料 晶体管器件 光电集成
2023/11/6
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多，但...
中国科学院微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展（图）
神经 晶体管 器件
2024/2/29
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加，如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统，具有非常高效的信息处理能力，且工作能耗很低。受生物启发，开发神经形态器件及其阵列集成技术，构建类似生物神经网络功能的神经形态计算系统，是实现实时、高能效边缘计算系统的重要途径之一。
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
中国科学院宁波材料所氧化物薄膜晶体管人工光电突触研究取得进展（图）
宁波材料 氧化物 薄膜晶体 人工光电
2023/9/19
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
中国科学院化学研究所专利：一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法
中国科学院化学研究所 专利 光传感 有机场效应 晶体管
2023/7/24
中国科学院化学研究所专利：一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法