搜索结果: 151-165 共查到“晶体管”相关记录431条 . 查询时间(0.073 秒)
近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所功能材料界面物理与器件应用团队在柔性神经形态器件研究方面取得新进展。他们在柔性PET衬底上制备了以壳聚糖薄膜作为栅介质的、具有学习行为的ITO突触晶体管，其在机械弯曲应力作用1000次后，器件各项性能参数保持稳定；在栅极偏压应力作用8000秒后，发现器件阈值电压呈现一定的漂移，说明研制的晶体管具备学习能力。随后，在研制的柔性ITO薄膜晶体管上模拟了三种突触功...
近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所功能材料界面物理与器件应用团队在柔性神经形态器件研究方面取得了新的进展，其在未来柔性神经形态平台构筑上有着潜在的应用。他们在柔性PET衬底上制备了以壳聚糖薄膜作为栅介质的、具有学习行为的ITO突触晶体管，其在机械弯曲应力作用1000次后，器件各项性能参数保持稳定；在栅极偏压应力作用8000秒后，发现器件阈值电压呈现一定的漂移，说明研制的晶体管具备学习能力。随...
突触晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，利用其电阻态的非易失性连续变化可以进行神经突触功能的模拟。其结构和工作模式与传统的半导体硅基场效应晶体管相似，通过施加栅极电压来调节忆阻晶体管源极和漏极之间沟道电阻的大小。但是，与硅基场效应晶体管不同的是，突触晶体管采用了具有迁移离子的电解质材料代替二氧化硅作为栅隔离层。在栅极电压作用下，迁移离子与沟道材料发生电化学反应并注入到沟道中，使得在栅极电压去除后...
突触晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，利用其电阻态的非易失性连续变化可以进行神经突触功能的模拟。其结构和工作模式与传统的半导体硅基场效应晶体管相似，通过施加栅极电压来调节忆阻晶体管源极和漏极之间沟道电阻的大小。但是，与硅基场效应晶体管不同的是，突触晶体管采用了具有迁移离子的电解质材料代替二氧化硅作为栅隔离层。在栅极电压作用下，迁移离子与沟道材料发生电化学反应并注入到沟道中，使得在栅极电压去除后...
中国科学院合肥物质科学研究院在光电晶体管的光调控方面取得进展（图）
中国科学院合肥物质科学研究院 光电晶体管 光调控
2018/10/12
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所纳米材料与纳米结构研究室研究员费广涛课题组与中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心博士张尧合作，在光电晶体管的光调控方面取得进展。研究发现，Ag/TiO2复合薄膜在外加两束光照射后，具有类似于三极管的特性，可以实现对光电信号的增强、开关和调制，该器件被称为全光输入的晶体管。相关结果作为卷首图片(Frontispiece)文章发表在《先进功能材...
中国科学院固体研究所在光电晶体管的光调控方面取得进展（图）
中国科学院固体研究所 光电晶体管 光调控方面
2018/10/10
近期，固体所纳米材料与纳米结构研究室费广涛研究员课题组与中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心张尧博士合作，在光电晶体管的光调控方面取得进展。研究发现，Ag/TiO2复合薄膜在外加两束光照射后，具有类似于三极管的特性，可以实现对光电信号的增强、开关和调制，该器件被称为全光输入的晶体管。相关结果作为卷首图片(Frontispiece)文章发表在Advanced Functional Mate...
场效应晶体管是构建电子电路的基本单元器件，其基础原理为使用第三端栅电极来调控源漏两端电极之间的电流。通过外加电场调控单个分子中的电荷传输可以实现单分子场效应功能，这既符合电子器件微小化发展趋势，也为单分子尺度的基础研究提供了很多契机。然而，如何在单分子水平上构建高效可靠的场效应晶体管器件一直存在巨大的挑战。最近，北京大学化学与分子工程学院郭雪峰课题组和合作者开发了国际上第一种基于离子液体栅和石墨烯...
东北师范大学在有机场效应晶体管领域取得系列重要研究成果（图）
东北师范大学 有机场效应 晶体管
2018/10/11
近日，我校物理学院紫外光发射材料与技术教育部重点实验室汤庆鑫教授课题组在有机场效应晶体管领域取得了系列重要研究成果，相关论文被Small和Nanoscale等期刊收录。超薄有机场效应晶体管具有质量轻、超柔性及可随形贴合的优势，在制备电子皮肤等可穿戴电子设备中具有良好的应用前景。相比于在传统的刚性衬底上制备的有机场效应晶体管器件，超薄的有机场效应晶体管迁移率普遍较低（10-1 cm2 V-1 s-1...
沈阳工业大学2019年硕士研究生招生考试加试晶体管原理考试大纲。
科技委新型微波晶体管技术研讨会在电子科技大学召开（图）
科技委 新型微波晶体管技术 研讨会 电子科技大学
2018/8/7
2018年7月31日，新型微波晶体管技术研讨会在我校沙河校区召开，本次研讨会由中央军委科学技术委员会先进能源技术主题专家组首席科学家朱利宏研究员组织，先进能源技术主题责任专家、我校材料与能源学院院长向勇主持会议。科学技术发展研究院副处长吴传贵，材料与能源学院副院长刘明侦，先进能源技术主题专家组助理刘林杰、张晓琨，中国电子科技集团研究员冯进军、杨林、吴福伟、伍小保，以及来自材料学院、电子学院、光电学...
中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室郑庆东研究团队在国家杰出青年科学基金项目、国家自然科学基金国际（地区）合作（NSFC-RGC）项目、中科院战略性先导科技专项（B类）、中科院前沿科学重点研究项目和副研究员尹志刚主持的中科院“青年创新促进会”、海西研究院春苗人才项目等资助下，成功实现了低电压、高灵敏的柔性OFET压力传感器。针对有机介电材料的局限性，构筑了介电常数可调的二元聚合物本体...
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，通过实验证实了这类材料存在能谷极化现象，并具有从紫外拓展到可见光、近红外以及远红外波段的可调能隙功能，相关研究近日发表在《纳米通讯》上，。
北京大学电子学系张志勇-彭练矛课题组在《科学》发表狄拉克源晶体管研究成果——实现超低功耗的高性能晶体管（图）
北京大学电子学系 张志勇 彭练矛 课题组 狄拉克源晶体管 超低功耗 高性能晶体管
2018/7/23
北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授、彭练矛教授课题组重新审视了MOS晶体管亚阈值摆幅的物理极限，提出一种新型超低功耗的场效应晶体管，并采用具有特定掺杂的石墨烯作为一个“冷”电子源，用半导体碳纳米管作为有源沟道，以高效率的顶栅结构构建出狄拉克源场效应晶体管（Dirac source-FET, DS-FET），在实验上实现室温下40 mV/DEC左右的亚阈值摆幅。变温测量结...
在二氧化硅衬底上依次真空沉积p-六联苯（p-6P）和酞菁铜（CuPc）构成双异质诱导层，研究了不同衬底温度下双异质诱导层对红荧烯薄膜形貌的影响，以及红荧烯分子在双异质诱导层上的生长过程.分析发现，第二诱导层酞菁铜的局部有序性对红荧烯薄膜的结晶度有直接影响.随着衬底温度的升高，
