搜索结果: 91-105 共查到“晶体管”相关记录431条 . 查询时间(0.062 秒)
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
磷化铟高电子迁移率晶体管 二维电子气 电子束辐照 辐射加固
2022/3/17
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管（InPHEMT）外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果，本文采用气态源分子束外延法制备了系列InPHEMT外延结构材料。针对不同外延结构材料开展了1.5MeV电子束辐照试验，在辐照注量为2×1015cm–2条件下，并测试了InPHEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性，获得了辐照前后不同外延结构InPHEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变...
首个竖放晶体管计算机芯片问世（图）
竖放晶体管计算机芯片 摩尔定律 半导体
2022/3/2
据《科学》消息，美国万国商业机器公司（IBM）和三星的研究人员已经制造出首个将晶体管竖立在两端的计算机芯片原型，即垂直传输场效应晶体管。这一变化将使电路的封装更加紧密，并使更快或更节能的设备成为可能。业界知名硬件拆解与分析机构TechInsights半导体行业分析师Dan Hutcheson说：“这是一个重大突破，它让我们了解到下一代设备将会是什么样子。”
五邑大学应用物理与材料学院学术讲座—新型薄膜晶体管的理论和实验研究（图）
学术讲座 新型薄膜 晶体管 实验研究
2023/5/10
2021年11月9日（星期二）下午3时，应五邑大学应用物理与材料学院和柔性传感材料与器件研究开发中心的邀请，中山大学博士生导师、国家优青获得者刘川教授在北主楼1707室给五邑大学师生做一场题为“新型薄膜晶体管的理论和实验研究”的学术讲座。本次讲座吸引了许多应用物理与材料学院师生过来学习和交流。
新型冠状病毒肺炎（COVID-19）是由严重急性呼吸系统综合症冠状病毒2（SARS-CoV-2）引起的传染病。随着病毒变种的传播和世界许多地区疫苗接种的缓慢推广，全世界迫切需要一种全面的检测方法，以便迅速、准确地识别和隔离大量感染者，从而遏制SARS-CoV-2的传播。
基于场效应晶体管（FET）的大规模集成电路是信息时代的基石。在过去的半个多世纪，遵循摩尔定律，FET的尺寸不断缩小，芯片上FET数量得以不断增加，芯片功能日趋多元化。如今，市场上的硅基晶体管尺寸已经降至18 nm栅长。由于受到短沟道效应的影响，继续缩短栅长，器件性能会大幅度下降，这引发了半导体业界对于摩尔定律失效的担忧。相比于三维体材料，二维材料因尺度极薄而具有更好的栅控性能，因表面光滑无悬挂键而...
基于场效应晶体管（FET）的大规模集成电路是信息时代的基石。在过去的半个多世纪，遵循摩尔定律，FET的尺寸不断缩小，芯片上FET数量得以不断增加，芯片功能日趋多元化。如今，市场上的硅基晶体管尺寸已经降至18 nm栅长。由于受到短沟道效应的影响，继续缩短栅长，器件性能会大幅度下降，这引发了半导体业界对于摩尔定律失效的担忧。相比于三维体材料，二维材料因尺度极薄而具有更好的栅控性能，因表面光滑无悬挂键而...
中国科学院化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组在OLET材料开发及器件构筑等方面开展了深入研究，提出了创新性的分子设计思想，突破了高迁移率和强荧光难以集成的科学瓶颈，发展了系列高迁移率发光有机半导体材料，初步实现了高性能OLET器件的构筑，并在近期两篇综述文章中对OLET器件领域的研究新方向、机遇和挑战进行了总结和评述。
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体所科研人员在可见-近红外光电探测研究方面取得进展。
中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所材料界面研究中心副研究员李佳团队，中科院院士、西北工业大学教授黄维团队，以及深圳先进院生物医学与健康工程研究所生物医学成像研究中心合作，首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管用于X射线直接探测器，实现了超灵敏、超低辐射剂量、超高成像分辨的X射线直接探测。
2021年以来，集发光传输于一体的有机发光晶体管(OLETs, Organic Light-Emitting Transistors)引起了人们的关注。有利于传输的有机分子晶体大多是H-型的堆积，其最低激发态都是反对称的暗态，即分子间的振子强度互相递交。而头尾相连的J-聚集体有利于发光，但传输性能不好。因此，发光与传输总是相互矛盾。通过引入分子间电荷转移，并在激发态的透热化表象上构造了三态模型哈密...
湖南大学展示纳米尺寸垂直晶体管原型器件
湖南大学 纳米尺寸 垂直晶体管 自然·电子学
2021/5/13
记者2021年5月7日从湖南大学获悉，刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管，其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新，为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前，这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。
近日，西安交通大学化学学院卜腊菊教授课题组使用组内近年来发展的断层光谱分析技术研究了聚合物半导体薄膜在深度方向上的结晶度变化，并利用软等离子体刻蚀技术提高了OFETs的稳定性。对常用的聚合物半导体材料的研究表明，其薄膜表面的结晶度高于表面以下部分。然而，对于p型聚合物半导体，较高的结晶度通常会导致较低的电离能，使得薄膜暴露于空气时产生较高的氧气掺杂浓度，从而产生了较高的背景电流，降低了OFETs的...
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展（图）
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响，使电子计算机掀起了一场变革，人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展，传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点，接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性，通过控制电荷的定向移动（电流）的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性，使其定向移动（自旋...
单分子晶体管器件研究取得重要进展
单分子 晶体管器件 电子器件
2021/4/20
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度，量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理，对未来信息技术以及介观物理学的发展具有深刻的意义。近期，在国家重点研发计划“纳米科技”重点专项的支持下，中国科学院物理研究所研究团队成功构建了尺寸小于1纳米，由单个分子构成的晶体管器件并实现了功能调控。利用可控烧蚀电极的方法构造纳米金属电极对，把单个酞菁锰分子嵌入其中，门电极...
单分子晶体管器件展现出复杂强关联现象（图）
单分子 晶体管器件 强关联现象
2021/3/23
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室N08i独立课题一直着力于探索最小分子器件中的功能性和新奇电子传输特性，2019年郭潇博士描述了两个互相耦合的C60分子对中单个分子上单个电荷的变化对对应的分子传输特性的特征性影响，论文发表在《中国物理快报》上（Express Letter）(Chin. Phys. Lett. 60, 127301 (2019)) 。近期郭潇...