搜索结果: 1-15 共查到“半导体薄膜”相关记录21条 . 查询时间(0.419 秒)
本发明涉及一种能够精确标定金属及半导体薄膜材料光学常数的方法。该方法适用于任何工艺制备的薄膜态金属和半导体材料，其流程如下：厚度为15-100nm薄膜样品制备；X射线全反射谱法精确标定厚度；透射率谱线及反射率谱线的测试；图形法求解光学常数。本方法与传统的光谱直接分析方法相比，能够解决金属及半导体薄膜厚度精确求解的问题，减少因厚度无法准确标定带来的误差，简化了求解过程，提高了光学常数求解的精度和速度...
本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备，其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成，光阳极与对电极使用热封膜隔开，中间注入电解质。其中，光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应，对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料，使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料...
中国科学院微电子所在聚合物半导体薄膜分子取向起源机制取得重要进展（图）
聚合物半导体 薄膜分子 光电性能
2023/8/21
第三代聚合物半导体因其本征柔性及可拉伸性、低温加工工艺、可调谐光电性能、兼容大面积制造等优点，近年来得到了学术界和工业界的广泛关注。其中，聚合物半导体的固态分子取向对其电荷输运特性至关重要。但是目前，业界对薄膜中分子取向的起源还知之甚少。
中国科学院化学所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略（图）
化学所 高性能原子 二维半导体 薄膜
2022/11/11
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大规模的打印二维...
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而，目前印刷的二维晶体管，受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
基于宽禁带氧化物半导体薄膜材料的MEMS传感器研发（图）
宽禁带氧化物半导体薄膜材料 MEMS传感器
2022/5/30
2021年12月第一届全国博士后创新创业大赛在广东省佛山市举办，中山大学博士后青年英才积极组队参加，展现了中山大学博士后队伍建设的蓬勃气象。本届大赛以“博采科技精华 创新引领未来”为主题，共设创新赛、创业赛、海外（境外）赛和揭榜领题赛等四个组别，约1400个项目以路演和答辩为主要展示形式，线下现场赛和线上云参赛相结合，经过3天的激烈角逐，我校代表团共获得1个银奖、3个铜奖、8个优胜奖的好成绩。
近日，山东大学微电子学院纳电子中心、英国曼彻斯特大学、中科院半导体所三方合作在高速非晶氧化物半导体薄膜晶体管方面取得了进展，使非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管的截止频率超过了1GHz，相当于每秒可以工作10亿次。这是目前非晶氧化物半导体薄膜晶体管的最快纪录，达到了国际领先水平。相关成果已在线发表在IEEE Transactions on Electron Device（Vol. 65 (...
最新半导体薄膜仅为三个原子厚（图）
半导体薄膜 三个原子厚
2015/5/15
美国科学家首次制造出厚度仅为三个原子的二硫化钼半导体薄膜，其不仅身材纤细，而且拥有优异的电学属性，可广泛用来制造各种超薄的电子设备。该研究的领导者、康奈尔大学化学和化学生物学助理教授吉沃格·帕克说：“新得到的二硫化钼半导体薄膜的电学性能可与二硫化钼单晶体相媲美，但我们得到的并非纤薄的晶体，而是4英寸的晶片（晶体上按一定方位角切下的薄片）。”
据物理学家组织网近日报道，美国莱斯大学和橡树岭国家实验室（ORNL）的科学家合作开发出一种新方法，可以控制二硫化钼（MDS）原子层整齐一致地生长，借此朝制造二维电子设备前进了一步。相关研究发表在本周出版的《自然·材料学》杂志上。
美国北卡州立大学研究人员2013年5月22日表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜（薄膜厚度仅为单原子直径）的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友（音译）说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。
有机半导体薄膜的有序化及其器件应用
有机场效应晶体管 薄膜 有序化 迁移率
2013/8/7
近些年来, 有机薄膜场效应晶体管(OTFTs)得到了快速的发展, 但是载流子在薄膜中的传输机理以及如何有效地通过控制有机半导体层的形貌来构筑高性能的有机薄膜晶体管器件仍然是当前研究的难点. 本文从有机共轭小分子半导体材料出发概述了通过不同的加工方式来优化和改善其薄膜的有序性, 从而进一步提高载流子在半导体层的传输特性及其场效应性能, 为制备高性能的有机半导体薄膜器件提供了新的视角和途径.
采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备ＳｉＮ狓／Ｓｉ／ＳｉＮ狓多层薄膜，测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对１０６４ｎｍ激光的非线性吸收系数。建立ＳｉＮ狓／Ｓｉ／ＳｉＮ狓多层薄膜被动调犙的Ｎｄ∶ＹＶＯ４双波长激光器速率方程，得到双波长调犙脉冲的数值模拟结果。在激光二极管（ＬＤ）端面抽运的三镜复合腔Ｎｄ∶ＹＶＯ４激光器中，ＳｉＮ狓／Ｓｉ／ＳｉＮ狓多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调...
非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究
非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应
2009/8/14
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者...
有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
有机半导体 薄膜晶体管材料 器件技术
2008/9/27
国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之一(Redu...