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1-1
共查到
“
负衬底偏压
”
相关记录1条 . 查询时间(0.075 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:基于
负衬底偏压
的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
负衬底偏压
n型鳍式
场效应晶体管
2023/11/30
本发明涉及一种基于
负衬底偏压
的n型鳍式场效应晶体管加固方法,属于半导体器件抗辐射技术领域,包括辐照前
衬底偏
置电路搭建、辐照中施加
负衬底偏
置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加,调整
负衬底偏
置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管,在
衬底
端口与集成电路地电位之间设置电压源,提供
负偏
置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程,施加
负衬底偏压
提升晶体管阈值电压,使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级,...
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