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中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 量电离辐射 碳化硅 双扩散型晶体管 异常变化
2023/12/7
本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL...