搜索结果: 1-15 共查到“碳化硅”相关记录225条 . 查询时间(0.294 秒)
上海光机所在飞秒激光加工碳化硅陶瓷基复合材料方面取得进展（图）
激光加工 碳化硅 陶瓷基复合材料
2024/4/14
2024年3月26日，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队与中国科学院上海硅酸盐研究所董绍明院士团队等合作，针对碳化硅陶瓷基复合材料（SiC CMC）精密加工及其过程监测的难题，提出并演示了一种基于飞秒激光成丝加工SiC CMC并通过光丝诱导等离子体荧光对飞秒激光加工过程进行监测的方法。研究结果以“Femtosecond laser filament ablated ...
中国科学院大连化学物理研究所专利：用于制造碳化硅的方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 碳化硅
2024/1/25
制造多孔碳化硅的方法，包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合，并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物，其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种基于碳化硅管的铍基液态包层
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 碳化硅管 铍基 液态包层
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种基于碳化硅管的铍基液态包层
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 量电离辐射 碳化硅 双扩散型晶体管 异常变化
2023/12/7
本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL...
中国科学院金属研究所专利：一种碳化硅泡沫陶瓷波纹板及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 波纹板
2023/11/24
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种高强度、高比表面、 低膨胀、高导热、抗热冲击性能好、化学稳定性高、结构可控的碳化硅泡沫陶瓷 波纹板及其制备方法,解决碳化硅泡沫陶瓷波纹板成型等问题。所述SiC泡沫陶 瓷材料以多边型封闭环为基本单元,各基本单元相互连接形成三维连通网络结构, 材料板片具有褶皱状的波纹形状,波纹形状可以是三角或者圆滑波形；本发明采 用有机树脂及SiC粉末为主要原料,利用...
中国科学院金属研究所专利：一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 高温抗氧化 表面改性
2023/11/24
本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域,具体指一种用于提高碳化硅 泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法。该方法包括：(1)将碳化硅泡沫陶瓷 在1150-1300℃下预氧化处理10-80小时；(2)经步骤(1)处理的碳化硅泡沫 陶瓷不经降温过程,换以清洁的惰性气氛,继续在1150-1300℃温度下保温处理 50-150小时,然后缓慢冷却至室温。本发明所述方法操作简单、成本低廉、适应 性强,对原始材...
中国科学院金属研究所专利：提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 高温抗氧化 表面涂层
2023/11/24
本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域,具体指一种用于提高碳化硅 泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法。该方法包括：第一步,将碳化硅 泡沫陶瓷在700～1300℃下预氧化处理1～10小时；第二步,经第一步处理的碳化 硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下,在离子溅射镀膜机内,利用Al金属靶材,在 泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al；第三步,经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温 空气气氛下放置10～24小时后...
中国科学院金属研究所专利：一种碳化硅陶瓷管状制品及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅陶瓷 管状制品
2023/11/24
本发明属于碳化硅陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种高强度、高导热、 低膨胀、抗热冲击性能高、外形尺寸可控的碳化硅陶瓷管状制品及其制备方法。 所述碳化硅陶瓷管组织均匀、具有均一管壁厚度,管壁厚度可以控制在0.5～20mm 之间,管外径可以在5mm～100mm之间,长度最大只受烧结炉限制,管壁可以为 致密结构,也可具有微孔结构；本发明采用有机树脂及SiC粉末为主要原料,利 用挤出成型工艺制备管状预制...
本发明涉及一种表面富硅多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用表面富硅多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。由于多孔碳化硅陶瓷表面硅层的存在,使分子筛晶体优先在多孔碳化硅陶瓷表面形核,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,分子筛与多孔...
一种用于合成气甲烷化的碳化硅基整体催化剂及制备方法，该催化剂包含β-SiC蜂窝载体和活性组分镍；还可以包含铝、钛、锆、铈、镧、锰、钼、钨、钾、镁和钙中的一种或两种以上的助剂；载体的质量含量为40-95%，镍的质量含量为5-40%，助剂的合计质量含量为0-20%。该催化剂的制备方法为：将硅粉、炭粉和成型助剂混捏、练泥后挤出蜂窝素坯，经干燥、反应烧结和氧化处理后得到载体，再进行负载得到催化剂；或者将硅...
中国科学院金属研究所专利：一种锆铝硅碳-碳化硅复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铝硅碳 碳化硅 复合材料
2023/11/13
本发明涉及耐超高温陶瓷及其制备技术,特别提供了一种锆铝硅碳-碳化硅复合材料,以及原位反应热压制备锆铝硅碳-碳化硅复合材料的方法。采用一定化学计量比的Zr粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,原料经过物理机械方法混合5～50小时,以5～20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体作为保护气(或真空下)的热压炉中加热至1600℃～2400℃原位热压反应0.1～4小时,热压压力为20～40MPa...
中国科学院金属研究所专利：一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硅陶瓷 表面分子筛 涂层材料
2023/11/11
本发明属于分子筛涂层材料的制备技术,具体为一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。多孔碳化硅陶瓷表面具有微孔结构,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,硅铝比可以精确控制,分子筛与多孔碳化硅陶...
本发明属于沸石晶体催化领域,具体的是涉及一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法。所述沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。所述制备方法,预先在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1∶0.1～1.0∶29；然后,在二次生长溶液中进行生长...