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中国科学院半导体所在异质外延生长新技术方面取得重要进展（图）
芯片材料 原子 沉积
2024/4/22
高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制，已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而，在半导体外延制造过程中，芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免，严重影响了芯片的性能和良率。
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硼酸钠镉 晶体 生长方法
2024/1/10
本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8...
本发明涉及一种一水合草酸铵双折射晶体及生长方法和用途，该晶体的化学式为(NH4)2(CO2)2·H2O，分子量142.11，该晶体为正交晶系，空间群是非中心对称空间群P21212，晶胞参数为a=8.017（4）Å，b=10.309（4）Å，c=3.735（2）Å，α=β=γ=90°，Z=2，单胞体积V=308.69Å3；采用将一水合草酸铵与去离子水形成的饱和...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：实时测量熔体法生长晶体固/液边界层结构的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽酸盐的提拉法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽酸盐 提拉法 晶体生长方法
2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽酸盐的提拉法晶体生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种氟硼酸铯晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 氟硼酸铯晶体
2023/12/7
本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法，该方法用熔体法生长晶体，通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂，使得高温熔体的粘度大大降低，同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1，因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在生长界面处排到熔体中，从而使晶体生长更易进行，更易获得较大尺寸的晶体以及晶体生长效率更高，实现氟硼酸铯晶体的工业应用。
本发明涉及一种大尺寸胍基四氟硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途，该晶体分子式为CN3H6BF4，分子量为146.90，属于三方晶系，空间群为R3m，晶胞参数为a=7.4445(4)?，b=7.4445(4)?，c=9.1025(9)?，α=90.00°，β=90.00°，γ=120.00°，Z=3，V=436.88(5)；该晶体的透过范围为190?2450 nm，双折射率为0.12@546 nm，采...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钆钇钪镓石榴石 钆钇钪镓铝石榴石 熔体法 晶体生长
2023/11/16
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：SM掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽铌酸铋 发光材料 熔体法 晶体生长
2023/11/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 稀土 锗镓酸盐 RExLn1-xGaGe2O7 发光材料 熔体法晶体生长
2023/11/11
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法