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最近三年来,三维拓扑绝缘体的研究在世界范围内取得了飞速进展,并成为凝聚态物理研究中的一个爆发性热点领域。拓扑绝缘体是一类具有非平庸的拓扑对称性(Z2)的材料,其内部绝缘,但在表面上存在着一种无能隙的、线性色散并且自旋与动量锁定的特殊电子态。这种新的量子物质态被预言可以产生出许多新奇的准粒子和物理效应,如磁单极、Majorana费米子和量子化的反常霍尔效应等。利用拓扑绝缘体的表面态被认为有可能实现新...
应用连续介质力学有限变形理论建立受内压作用不可压超弹性球壳大变形 问题的力学模型, 且运用基于变形梯度张量极分解的弹性体积生长理论分析生长对不可压 超弹性球壳变形和稳定性的影响. 通过对球壳变形与内压关系式的数值计算得到不同生长 条件下球壳的变形曲线和应力分布曲线及由生长引起的残余变形和残余应力分布. 计算结果 表明生长对球壳变形特性有明显的影响, 生长影响球壳可产生不稳定变形的临界壁厚和临界 内...
在两步法制备多孔阳极氧化铝模板过程中, 观察到氧化铝纳米线的生长. 这种纳米线生长过程不同于通常的化学腐蚀生成过程, 电场和应力的共同作用是导致氧化铝纳米线形成的主要原因, 同时抛光后铝箔表面的纳米压痕也是导致纳米线形成的重要因素.
“第十六届国际晶体生长会议暨第十四届国际气相生长与外延会议”(ICCG-16/ICVGE-14)于2010年8月9至13日在北京国际会议中心成功召开。本次会议是由中国科学院理化技术研究所主办,中国科学院、国家自然科学基金委员会、中国硅酸盐学会支持的专业性国际盛会。从8月9日下午起,会议进行分会场讨论,与会代表就晶体生长基础理论,单晶硅生长和光伏材料,窄禁带半导体和复合半导体材料,宽带半导体材料,薄...
从一般的化学势形式及传质动力学方程出发推导了有电离子作为凝结核时液滴生长的动力学模型, 并对该模型进行了简化, 在此模型基础上, 分析讨论了电离子电量对液滴生长的影响. 研究结果表明: 有电离子作为液滴凝结核时, 液滴生长的无因次液滴中肯半径比无电离子条件下液滴生长的中肯半径要小, 液滴容易生长. 同时也得到: 当有电离子作为液滴凝结核时, 如果液滴初始半径小于中肯半径, 液滴将不会消失, 而是趋...
日前,第一届晶体成核与生长国际研讨会(The 1st International Symposium on Nucleation and Growth of Crystal, 简称1st ISNGC)在山东大学举行。此次会议的议题是“Structures, functions and Application”。会上,来自美国和新加坡的8位华人教授分别介绍了他们最新的研究成果。本次研讨会由山东大学晶...
2010年5月17日,日本晶体生长学会现任会长Yoshikazu TAKEDA先生、下任会长Koichi KAKIMOTO先生等一行6人在中国硅酸盐学会秘书长谭抚和第十六届国际晶体生长大会秘书长、山东大学王继扬教授的陪同下访问理化所,并商议第十六届国际晶体生长大会的筹备工作。
2010年2月1日上午,“北京市科学技术奖励大会暨2010年北京市科技工作会议”在北京会议中心隆重召开。由中科院理化所联合福建物构所、物理所、山东大学申报的“KBBF族深紫外非线性光学晶体的发现、生长和应用”项目获得了2008年北京市科学技术一等奖。利用高功率可见/近红外固体激光作为基频光源,通过非线性光学晶体的多极变频技术是获得高光束质量、窄线宽深紫外(波长短于200nm)全固态激光源的最有效方...
本文利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu(100)面上的三维生长过程。模型中考虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生的概率由多体势函数确定。主要讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对Cu原子迁移、成核和表面岛生长等微观生长机制的影响;获得了Cu薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度。模拟结果表明,随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大...
铁(Fe)是藻类生长所必需的微量营养元素,在藻类对氮的吸收、固氮菌对氮的固定、叶绿素合成、卟啉生物合成、光合作用电子传输等生物过程中发挥着非常重要的作用。因此在水体富营养化治理过程中,除了要注意控制氮、磷的输入,还应考虑Fe的调控作用。遥感技术是监测水体富营养化的有效措施,应用遥感技术可以实时、大面积监测水体中藻类的生长分布情况。水体中Fe浓度的波动会使藻类细胞的代谢活动发生变化,进而反映在藻类反...
脉冲激光溅射下固液界面生长的碳纳米管及其机理初探。
以经硅烷化后的玻璃片为基底,吸附三角形银纳米种子,采用柠檬酸钠为还原剂,在室温下还原硝酸银,制备出基底表面具有三角形银纳米粒子聚集结构的材料。应用透射电镜、扫描电镜、X射线衍射仪、吸收和荧光光谱对产物的结构和性质进行表征。结果表明:随着生长液体积的增加,基片上三角形银纳米盘的平均粒径长大约为300 nm,且基底上出现了双层粒子堆叠;基底上纳米粒子的吸收光谱中出现了由银粒子的表面等离子体激元偶极子耦...
采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长,其岛状直径约为100 nm。且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长,台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1,与Pen...
薄膜生长的计算机模拟     计算机模拟  薄膜生长       2009/10/30
沉积在液体基底表面的金属原子会凝聚形成具有特殊结构的分形凝聚体.针对这一实验结果,建立了薄膜生长的计算机模拟模型,模拟了此类凝聚体的生长机理.
分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2·Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2·Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜...

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