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中国科学院科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法（图）
氮化硼 非线性光学 沉积
2024/5/12
常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，可以为变革性技术应用如存算一体器件和深紫外光源等提供新材料和解决方案。然而，相较于常见的hBN晶体，rBN晶体属于亚稳相，因而...
工业革命之后大气的CO2浓度一直持续升高，CO2浓度的升高将对植物的生理功能和生长造成重要影响，然而目前对于亚热带带植物的水力结构和生长如何响应CO2浓度升高还缺乏研究。中国科学院西双版纳热带植物园（以下简称“版纳植物园”）树木年轮与环境演变组的付培立副研究员和范泽鑫研究员，与安徽师范大学、沈阳应用生态所、缅因大学，西澳大学以及哀牢山生态站的研究人员合作，利用哀牢山生态站的CO2人工气候室，研究了...
中国农业科学院棉花研究所专利：一种创建有限生长株型棉花的方法
有限生长株型 棉花 创建方法
2024/4/22
本发明提供了一种通过基因定点编辑技术快速创建主茎和果枝表现有限生长的棉花材料的方法。本发明的方法针对株型调控候选基因GhLSGZ，利用一种基因定点编辑技术将GhLSGZ敲除，获得有限生长习性的Ghlsgz突变体，该突变体可以用于改良棉花株型，获得株型优良的棉花新品系。本发明获得的Ghlsgz突变体可通过后代分离，将转基因元件排除。本发明还提供了GhLSGZ基因的定点敲除突变基因、用于敲除GhLSG...
中国科学院半导体所在异质外延生长新技术方面取得重要进展（图）
芯片材料 原子 沉积
2024/4/22
高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制，已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而，在半导体外延制造过程中，芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免，严重影响了芯片的性能和良率。
2024年3月1日，中国科学院城市环境研究所朱永官研究组对蚂蚁生长阶段中肠道抗性组和代谢组进行了研究，并取得了重要进展。该研究通过高通量芯片技术、拉曼光谱技术、代谢组学联用探究了草地铺道蚁生长过程中肠道脂质代谢物对肠道抗生素抗性基因的调控作用，并通过基于宏基因组学的Meta分析揭示了生物生长过程中抗生素抗性组动态变化的普遍现象，为土壤动物生命过程中抗生素抗性组的动态变化提供了新的见解。
中国科学院应激诱发仔猪肌肉生长阻滞的分子机制研究获进展（图）
分子机制 养殖过程 蛋白
2024/2/25
2024年2月22日，由中国工程院院士、中国科学院亚热带农业生态研究所研究员印遇龙领衔的科研团队，在仔猪肌肉生长阻滞发生机制研究方面取得进展。在集约化养殖过程中，免疫应激普遍存在于断奶仔猪饲养环节，导致仔猪肌肉蛋白质降解和生长阻滞，影响肥育阶段的产肉率和肉品质，给养猪业带来经济损失。因此，有效缓解仔猪免疫应激是当前养猪生产亟待解决的难题。然而，目前对免疫应激仔猪肌肉蛋白质降解和生长阻滞的发生机制知...
中国科学院青藏高原所通过地震后树木生长变化揭示圈层相互作用机制（图）
青藏高原 地震 地质灾害
2024/2/22
全球山地森林多位于地震带上，常受到地震等地质活动干扰。地震过程释放出巨大能量。地震波引发的次生地质灾害，造成树木茎干、枝或根断裂、扭曲等物理损伤，并通过改变立地环境如土壤结构、水文条件、营养状况、竞争强度等，间接影响树木生长，导致树木出现长期生长释放或抑制的现象。然而，立地环境变化与气候波动对树木生长的影响相互耦合难以分离，但对于地震干扰对全球山地森林树木生长影响的空间格局及恢复过程尚不清楚。
中国科学院青藏高原研究所地震后树木生长变化揭示圈层相互作用机制（图）
地震 耦合 生态系统
2024/2/26
全球山地森林面积大于900万平方公里，占森林总面积的23%，多数位于地震带上，常受到地震等地质活动干扰。地震过程释放出巨大能量，地震波引发的次生地质灾害不仅造成树木茎干、枝或根断裂、扭曲等物理损伤，还通过改变立地环境（如土壤结构、水文条件、营养状况、竞争强度等的变化）间接影响树木生长，导致树木出现长期生长释放或抑制的现象。然而，立地环境变化与气候波动对树木生长的影响相互耦合难以分离，迄今为止，对于...
专家汇聚共同研讨胎儿生长发育超声参考值专家共识（图）
生长发育 参考值 出生缺陷
2024/3/11
2024年2月4日，“胎儿生长发育超声参考值专家共识专家研讨会”在成都举行。来自全国超声医学、妇产科学和遗传学等十余名权威专家齐聚一堂，共同探讨这具有里程碑意义的共识。华西第二医院医学遗传科/产前诊断中心王和教授、全国妇幼卫生监测办公室/中国出生缺陷监测中心朱军教授和王艳萍教授参加了会议。
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硼酸钠镉 晶体 生长方法
2024/1/10
本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8...
揭示生长素信号调控根尖干细胞微环境的新机制（图）
干细胞 生长素 蛋白激酶
2024/1/8
近日，山东大学生命科学学院教授丁兆军团队发表新成果，揭示了通过精准调控根尖静止中心生长素信号，维持根尖干细胞稳态的分子新机制。该成果在线发表于《细胞研究》。
结晶生长过程在矿物学、地球化学、环境科学等多个学科领域中具有重要意义。普遍存在的异质表面能够显著影响晶体的形成和转变途径，对结晶生长过程具有关键作用，其作用机制长期受到关注。然而，该研究领域中仍有许多科学问题亟待解决：（1）某些异质基底自身的物化性质易发生变化（例如溶解），其对结晶生长过程的影响尚不清楚。（2）一些异相结晶生长过程伴随着电子转移，二者之间的相关性仍不明确。（3）对异质表面如何影响颗...
科学家综述电缆细菌的生长代谢与生态功能（图）
电缆细菌 生长代谢 生态功能
2024/1/4
近日，广东省科学院微生物研究所研究员许玫英团队与丹麦奥胡斯大学教授Lars Peter Nielsen团队合作，全面概述了电缆细菌的多样性及其全球分布特点，详细介绍了电缆细菌独特的生理生态特点、代谢方式及关键影响因素，并进一步分析了电缆细菌在缓解生态环境问题方面的最新理论发现及其应用潜力。相关综述论文发表于《微生物学进展》。
本发明涉及一种一水合草酸铵双折射晶体及生长方法和用途，该晶体的化学式为(NH4)2(CO2)2·H2O，分子量142.11，该晶体为正交晶系，空间群是非中心对称空间群P21212，晶胞参数为a=8.017（4）Å，b=10.309（4）Å，c=3.735（2）Å，α=β=γ=90°，Z=2，单胞体积V=308.69Å3；采用将一水合草酸铵与去离子水形成的饱和...