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利用X射线对东方百合组织培养形成的不定芽进行慢性照射，观察不同辐照剂量对不定芽生长的影响，并对不定芽过氧化物同工酶酶谱进行分析。结果表明：X射线对东方百合不定芽的生长有显著抑制作用，对不定芽增殖影响不明显，随着辐照剂量的增大，不定芽死亡率增大，X射线慢性辐照引起了POD同工酶酶带数目的改变，活性增强。
金属铀表面铝薄膜生长行为的XPS研究
铀 铝薄膜 XPS 生长模式
2009/7/24
在室温、超高真空条件下，采用Ar离子溅射沉积的方法在清洁金属铀表面沉积铝薄膜，并利用X射线光电子能谱分析技术原位观察铝薄膜的生长行为。结果表明，在薄膜生长过程中，铀铝界面存在较明显的互扩散行为，同时发生一定程度的相互作用，生成金属间化合物UAlx，导致铀、铝XPS特征谱发生明显变化。铀铝间的互扩散导致U4f谱在380.4、392.7和404.2eV处出现新的能量损失峰；而铀铝金属间化合物的生成导致...
Zr-4合金的中子辐照生长
Ｚｒ－４包壳 中子辐照 辐照生长 结构
2009/1/4
对由两厂分别生产的Ｚｒ－４包壳管样品在重水堆内进行中子辐照试验，辐照温度为６１０Ｋ，快中子注量为４．２×１０￣（２４）ｍ￣（－２）（Ｅ＞１．０ＭｅＶ）。试验结果表明，Ｚｒ－４管的辐照生长应变随辐照中子注量增加呈线性增加。两厂生产的Ｚｒ－４包壳管的生长应变可用Ｇ＝Ａ（φｔ）￣ｎ或Ｇ＝Ｂ＋Ｃ（φｔ）表达式描述，两者的差异可能是合金元素和杂质的综合影响所致。
首先简述了He离子注入单晶Si引起的气泡形成、生长以及其它缺陷对其生长的影响，介绍了Si中He气泡生长的可能微观机制以及它们在现代半导体技术中潜在的应用前景，提出了该领域研究有待解决的关键问题.
He ion implantation induced bubbles or cavities in silicon have been paid more and more attentions du...