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第15届全国晶体生长与材料学术会议(第一轮通知)
第15届 晶体生长 材料 会议
2009/3/31
为了总结交流近年来晶体材料领域最新研究成果，展示晶体材料领域的新产品、技术、设备、工艺，促进人工晶体材料在国民经济的高新技术领域中的广泛应用，兹定于2009年11月6-10日在宁波召开“第15届全国晶体生长与材料学术会议”（CCCG-15），会议将邀请国内外晶体材料界知名专家、学者作主题报告；将围绕人工晶体的基础问题和应用技术进行广泛的学术交流，共同促进我国晶体材料研究、开发、应用和产业的发展。热...
倾斜式生长ZnS纳米柱状薄膜及其透射性能的研究
倾斜式生长 柱状ZnS纳米薄膜 透射光谱
2010/3/22
采用倾斜式生长的方法，在本底真空为3×10-4 Pa，生长率为0.2 nm·s-1的条件下，通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α，在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。在α=80°和85°时，样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成，扫描电子显微镜(SEM)图像显示，所形成的薄膜均呈现出了柱状结构，并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果...
Zr-4合金的中子辐照生长
Ｚｒ－４包壳 中子辐照 辐照生长 结构
2009/1/4
对由两厂分别生产的Ｚｒ－４包壳管样品在重水堆内进行中子辐照试验，辐照温度为６１０Ｋ，快中子注量为４．２×１０￣（２４）ｍ￣（－２）（Ｅ＞１．０ＭｅＶ）。试验结果表明，Ｚｒ－４管的辐照生长应变随辐照中子注量增加呈线性增加。两厂生产的Ｚｒ－４包壳管的生长应变可用Ｇ＝Ａ（φｔ）￣ｎ或Ｇ＝Ｂ＋Ｃ（φｔ）表达式描述，两者的差异可能是合金元素和杂质的综合影响所致。
一种高安全可靠的晶体生长安瓿
晶体生长 安瓿
2008/12/8
本实用新型涉及晶体生长及其所用的装置领域，是一种既能满足晶体生长要求又有较高力学强度的密封柑塌结构，特别是能经得住严厉的力学环境随机和正弦振动的晶体生长安瓿。晶体生长一般都是在柑塌中进行的，生长蒸汽压较高的高纯化合物半导体光电晶体一般都要用密封坩埚，这一密封坩埚就称之为晶体生长用安瓿。
插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响
InAs 量子点 AlGaAs薄膜 光致发光光谱 有效质量近似模型
2008/11/28
利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件，在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性；利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明，AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果，指认了带内光电流谱中峰结构的起源.
中加科学家发现PTCDA在氯化钠表面的两种生长模式
PTCDA 氯化钠 生长模式
2008/11/17
中科院物理研究所高鸿钧研究组的博士生季威等人通过与加拿大McGill大学教授Peter Grütter、郭鸿合作，利用高分辨原子力显微镜与第一性原理计算相结合的方法，对PTCDA这一有机半导体原型分子在氯化钠绝缘体表面的生长模式进行了研究，相关结果发表在最近出版的Physical Review Letters上。
美国第16届晶体生长及外延会议
第16届 晶体生长 外延会议
2009/4/23
美国第16届晶体生长及外延会议于2005年7月10~15日在蒙托纳州Big sky 召开。该会议由美国晶体生长学会主持召开。公司和大学给予资助。该会议是几年来规模最大的一次，有来自美、英、法、德、俄、加、日、中国等十几个国家400余名科技工作者参加。
KBBF族深紫外非线性光学晶体的发现、生长和应用通过鉴定
KBBF族深紫外非线性光学晶体 生长 应用
2008/7/30
2008年7月25日，中国科学院基础科学局会同计划财务局在北京主持召开了“KBBF族深紫外非线性光学晶体的发现、生长和应用”成果鉴定会。鉴定会专家组由9位院士和其他5位同行专家组成，闵乃本院士为鉴定委员会主任。
鉴定委员会听取了项目组的研制报告、测试小组的测试报告以及查新报告和用户使用报告，对相关问题进行了质询，并现场考察了KBBF晶体生长、KBBF棱镜耦合器件的加工和Nd:YAG激...
利用LMBE生长BaTiO3薄膜及其原位光电子能谱测量
激光分子束外延 原位光电子能谱 RHEED
2008/1/27
利用激光分子束外延系统, 在STO:Nb衬底制备了高质量的BaTiO3单晶薄膜, 并在
北京同步辐射站4B9B对其进行了原位的光电子能谱的测量. XPS测量表明, 所生长的薄膜没有Ti离子变价. 实验中测得的价带谱与用ab initio方法计算的结果一致.
国家微重力实验室 陈启生出席第四届国际晶体生长模型化会议
2008/1/18
我应日本九州大学材料化学与工程研究所Imaishi教授的邀请参加了于2003年11月4－7日在日本福冈举行的第四届国际晶体生长模型化会议。该会议共有100余人参加，其中50多人是来自日本以外的国家。口头报告三十余篇，70余篇大字报。会议论文多为提拉法生长硅单晶模型化的工作。
美国MIT校长Robert Brown作了关于提拉法生长单晶硅过程中缺陷形成的模型化研究的开场报告。我作为唯一来自中国大陆...
静电场对植物生长的生物效应研究
静电 生物效应 促长装置
2007/12/14
为了研究静电场对植物生长的影响以及更好地利用静电生物效应，设计了新型植物静电促长装置进行试验。结果显示，适宜静电场处理的小青菜和番茄，从出苗到成熟、收获的整个生育期，生物效应是显著的，经１０ｋＶ的正静电场处理，番茄出苗数增加了３０％，产量增加了９１．９％；小青菜出苗数增加３３．４％，产量增加１８．３％。并从能量观点探讨了静电生物效应的机理。
由汽态还原生长金属须的机制
2007/12/13
进行了用蒸汽还原法生长铜须和铁须的实验。研究了须的生长机制,为的是找出能够生出又粗又长而强度又极高的金属须的有效措施。实验指出,当生长槽材料的晶体结构与生长须的金属的晶体结构相同时,可以促进须的生长。由此所得的结论是,须的生长是通过沿轴线的螺型位错的机制。观测了所生的铜须和铁须在生长槽上的分布和排列取向的各种方式,由此推论到这些须是由顶端生长的。此外,实验还指出,氯化亚铜(或亚铁)蒸汽是优先在须的...
含有杂质的金属须的生长和强度
2007/12/13
在金属须的生长过程中有意地搀入杂质,以研究杂质对于金属须的生长方式和强度的影响。把1:5的FeCl2和CuCl混合起来在氢气中进行还原,得到一根直径13.6微米而拉断强度为262公斤/毫米2的铜金属须,这远比直径相同的“纯”铜金属须的强度为高。搀钴的铜金属须的强度也大大提高,但是搀银的铜金属须的强度却不发生显著的变化。对于这种金属须作了金相观测,由此推论到金属须的强化主要是由于沉淀硬化或弥散硬化。...
在热液条件下石英晶体的溶解及生长
2007/12/13
本文实验部分主要研究了用温差法热液生长石英的溶液在冷却以后和重新建立的热液条件下所呈现的一些胶体化学性质。对冷却后的溶液做了超显微镜和电泳相结合的观察;对在重新建立起来的热液条件下的溶液仅做了电泳实验。在这两种情况下,对电泳迭合物都做了物相分析及加热过程中的物相转变的研究。理论部分根据实验结果及对石英晶体结构的考虑,推测了热液中真溶液部分,在晶体溶解及生长过程中分子的分散和重合的几个可能和主要阶段...