搜索结果: 151-165 共查到“物理学 生长”相关记录196条 . 查询时间(0.291 秒)
关于热生长SiO2薄膜厚度的测量
2007/12/13
在半导体硅器件的研究工作中,需要准确地测量和控制SiO2薄膜的厚度。由于干涉原理,SiO2薄膜在白光照射下呈现颜色。但薄膜厚度与颜色相应的单色光的波长并不成简单的函数关系。本文叙述了用干涉显微镜测量热生长SiO2薄膜厚度的方法。由测量结果得到SiO2薄膜的折射率以及SiO2和硅界面及空气和硅界面反射相移之差。并且测量了一组标准样品的薄膜厚度,列出了薄膜厚度与干涉颜色的对应关系。所得结果与从Roll...
磷通过热生长二氧化硅层在硅中的扩散
2007/12/13
用四探针测量薄层电导方法及阳极氧化去层技术,测定了磷在硅中扩散的具体分布,在恒表面浓度下,它们偏离余误差函数分布。如认为这是由于扩散系数是杂质浓度的函数,实验得到了当杂质浓度大于1019原子/厘米3时,扩散系数随杂质浓度增加而增大的强烈依赖关系。用同样方法测定了磷通过二氧化硅层后在硅中扩散的具体分布,研究了这些杂质分布的特性,实验表明,不同厚度的氧化层在1300℃高温下仍具有掩蔽效应,在完全掩蔽失...
镍单晶膜上氧化镍的配位生长取向关系
2007/12/12
对在膜面为(110),(001)和(111)的镍单晶膜上生成的氧化镍取向进行了电子衍射分析,除在(111)和(001)镍膜上肯定了前人已发现的氧化镍与镍的平行取向关系外,还在(110)和(001)镍单晶膜上发现了(111)NiO∥(001)Ni,〈110〉NiO∥〈110〉Ni取向关系以及〈110〉NiO∥〈110〉Ni氧化镍纤维织构。在所有氧化镍与镍的取向关系中均有〈110
从昇华的NaCl蒸汽生长单晶体
2007/12/12
半个世纪以来,从NaCl的蒸汽生长其单晶体的企图并没有得到正面的结果,解理面上的取向性结晶也尚未有超过数个分子层者。对于从溶液结晶出来时NaCl晶面发展的顺序,或者相对的重要性的研究已有肯定的结果。关于晶核或生长驼峰发端的位置从几率上看应在晶面何处的时尚理论未能从NaCl自溶液中结晶出来的实验加以证实或否定。为探索从蒸汽相生长NaCl单晶体的规律,本实验初步获得较大尺度的单晶体,并同时使取向性晶面...
Mg:Fe:LiNbO3晶体的生长及光学性能研究
2007/8/20
在Fe:LiNbO3中掺进MgO和Fe2O3以提拉技术生长Mg:Fe:LiNbO3晶体.对晶体进行极化和还原处理.测试晶体的吸收光谱,Mg:Fe:LiNbO3晶体吸收边相对Fe:LiNbO3晶体发生紫移.测试晶体的红外光谱,Mg:(5 mol%)Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰由Fe:LiNbO3晶体的3482 cm-1移到3534 cm-1.采用锂空位模型阐述Mg:Fe:LiNbO3晶体,吸收...
Zn,Cr∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱
2007/8/20
通过选择合适的化学原料（Li2O∶48.6mol%, Nb2O5∶51.4mol%）、控制生长速度（<3 mm/h）及固液界面的温度梯度（20~40℃/cm）与温场，用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下，无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱（...
近日，由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5～10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In(Ga)...
“ALD法生长HfO2薄膜材料的研究”基金项目顺利结题
2007/8/9
近日，孟祥建博士负责承担的上海－应用材料研究与发展基金“ALD法生长HfO2薄膜材料的研究”经该基金办审批正式获准结题。项目首次将sol- gel技术与高压氧气相连用，成功在400摄氏度制备出了性能良好的PZT铁电薄膜材料，为与半导体工艺技术的集成提供了一条技术途径。同时，发现PMN －PT薄膜具有极化自锁定特性，并确定了PMNT薄膜的红外光学常数。为研制性能稳定的铁电薄膜大面积红外焦平面列阵器件...
近日，我所陈平平博士提出的“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得2004年上海市光科技计划资助。InN及InGaN(富In)半导体是当今半导体领域研究热点,由于该材料体系很难生长，一直来对于其基本的物理性质如缺少认识。最近的研究表明该InGaN材料体系能带从0.7到3.4eV连续可调，为全太阳光谱光伏材料体系，理论研究表明由该材料制备的太阳能电池效率高于50%（高于目前所有...
本所博士后李天信同志提出的“In(Ga)As/GaAS量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”获得2003年上海市纳米专项基金资助。李天信同志提出将近年来发展很快的纳米表征技术－－扫描探针显微术引入到半导体表面量子点的局部电特性测量领域；并利用合适的离子注入实现对量子点的物性调控以获得材料光电性能的提高，为新型的光电子器件提供性能优化的实验基础。
金属片加热区熔法单晶生长及应用
2007/7/28
专著信息
书名
金属片加热区熔法单晶生长及应用
语种
中文
撰写或编译
作者
倪代秦,宋有庭,张树玉,吴星,陆坤权
第一作者单位
出版社
物理,30（3）,165-168 （2001年3月）
出版地
出版日期
2001年
3月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
铂片加热区熔晶体生长方法的研究
等轴应变作用下铜、铝薄膜的取向择优生长
2007/7/28
期刊信息
篇名
等轴应变作用下铜、铝薄膜的取向择优生长
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
周耐根,周浪,宋固全,宋照东
第一作者单位
南昌大学
刊物名称
金属学报. 41(8). 809~813, 2005.08
页面
出版日期
2005年
8月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
晶界迁移中原子的协同运动与纳米效应
室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜
2007/7/28
期刊信息
篇名
室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
闫鹏勋,杨思泽
第一作者单位
中国科学院物理研究所
刊物名称
金属学报
页面
1995,31,439
出版日期
1995年
4月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
高能量密度等离子体法制备立方氮化硼薄膜