搜索结果: 1-15 共查到“知识库 物理学 生长”相关记录80条 . 查询时间(0.32 秒)
Ⅱ－Ⅵ族化合物原子层外延生长及短期超晶格量子阱的特性研究。
窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构，如纳米线或者 2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而显示出巨大的潜力。然而，InSb量子阱由于其大晶格常数，很难在绝缘基板上外延生长...
三氧化钨晶体拓扑结构生长行为及其电致变色性能
WO3 水热合成 晶体拓扑结构 电致变色
2022/4/1
本研究利用种子层辅助的水热反应法,在导电玻璃上沉积生长三氧化钨(WO3)晶体结构薄膜.通过调控水热反应溶液中盐酸、草酸的浓度以及后处理温度,分别得到花朵状、海胆状和多孔花瓣状的WO3晶体结构薄膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和电化学表征等手段研究了不同拓扑结构形成的机理及其对WO3电致变色性能的影响.结果表明:盐酸中的Cl–具有促进WO3晶体沿c轴方向生长的作用,而草酸具有促进W...
Ag(111)和Au(111)上铋的初始生长行为
半金属Bi Ag(111) Au(111) 扫描隧道显微镜
2022/3/24
半金属铋(Bi)的表面合金具有的Rashba效应, 和其具体结构性质有重要关联. 本文结合扫描隧道显微镜(STM)和密度泛函理论(DFT), 系统地研究了Bi原子在Ag(111)和Au(111)上的不同初始生长行为. 在室温Ag(111)上, 连续的Ag2Bi合金薄膜会优先在Ag台阶边缘形成; 在570 K Ag(111)上, 随着覆盖度增加到0.33 分子层(ML), Bi优先取代配位数低的台阶...
He+辐照剂量对钨纳米丝生长的影响
金属学 钨纳米丝生长 辐照 侵蚀
2022/3/24
采用低能(50eV)大流强的He+辐照多晶钨材料,辐照温度1420±50K,辐照剂量从1.0×1024ions/m2逐渐增加到1.0×1027ions/m2,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、称重等手段分析辐照后钨样品表面微观结构的形貌改变及质量损失的情况,系统的研究了He+辐照剂量对钨纳米丝生长的影响.结果表明,随着He+辐照剂量的增加,钨纳米丝的厚度最终达到饱和,由于辐照后钨表面存在致密的钨纳...
超声检查非平行生长对乳腺BI-RADS4类结节的诊断价值
非平行生长 乳腺结节 超声征象
2020/12/16
探讨超声检查非平行生长对乳腺影像报告数据系统（BI-RADS）4类结节的诊断价值。方法收集乳腺超声检查提示为BI-RADS4类且结节表现为非平行生长的患者298例（共325个结节），根据其病理结果对超声征象进行回顾性分析。
胎儿生长发育受限的超声诊断与监测
胎儿 生长受限 超声检查,产前
2020/2/26
胎儿生长受限指因胎盘功能不全导致胎儿生长未能达到其生物学潜能。目前临床最大困惑是如何鉴别胎儿生长受限与健康小于胎龄儿。超声为诊断胎儿生长受限的金标准，主要诊断指标包括估重、腹围及脐动脉血流频谱。超声监测有助于预测胎儿不良结局，协助判断分娩时机。目前已被证明可帮助评估患儿预后的监测指标包括估重、腹围等生长径线、脐动脉血流阻力指数、静脉导管血流频谱、大脑中动脉频谱、脑胎盘血流比率、子宫动脉血流阻力指数...
与心肌纤维化相关的细胞因子和生长因子
心肌纤维化 心肌成纤维细胞 细胞因子 生长因子
2020/1/22
心肌纤维化是一种由各种原因导致的细胞外基质胶原分泌增加、降解减少,以胶原比例失调为主要特征的疾病。其与高血压、心肌梗死、糖尿病等多种疾病和病理过程密切相关,心肌纤维化可导致心力衰竭、心律失常和心源性猝死等严重并发症的发生,是多种疾病向终末期心脏病发展的必然过程。心肌成纤维细胞在多种因素作用下向肌成纤维细胞转化,并异常增殖、分泌大量胶原蛋白及细胞外基质,这是心肌纤维化的中心环节。但心肌纤维化的发病机...
不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
ZnO 高背景电子浓度 生长室真空 氢杂质
2013/11/30
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019 cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段...
N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长
氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积
2013/11/30
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性B...
MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究
B掺杂金刚石膜 负电子亲和势 二次电子发射系数 氧化处理
2014/3/18
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为。对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9。值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理。如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留。另外,10 mg/L B2H6/CH4 掺杂样品在酸溶液中处...