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中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破(图)
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管,可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院新疆理化技术研究所专利:化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硼酸钠镉 晶体 生长方法
2024/1/10
中国科学院合肥物质科学研究院专利:钽酸盐的提拉法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽酸盐 提拉法 晶体生长方法
2023/12/12
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种氟硼酸铯晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 氟硼酸铯晶体
2023/12/7
中国科学院合肥物质科学研究院专利:钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽铌酸铋 发光材料 熔体法 晶体生长
2023/11/13