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关于热生长SiO2薄膜厚度的测量
2007/12/13
在半导体硅器件的研究工作中,需要准确地测量和控制SiO2薄膜的厚度。由于干涉原理,SiO2薄膜在白光照射下呈现颜色。但薄膜厚度与颜色相应的单色光的波长并不成简单的函数关系。本文叙述了用干涉显微镜测量热生长SiO2薄膜厚度的方法。由测量结果得到SiO2薄膜的折射率以及SiO2和硅界面及空气和硅界面反射相移之差。并且测量了一组标准样品的薄膜厚度,列出了薄膜厚度与干涉颜色的对应关系。所得结果与从Roll...
磷通过热生长二氧化硅层在硅中的扩散
2007/12/13
用四探针测量薄层电导方法及阳极氧化去层技术,测定了磷在硅中扩散的具体分布,在恒表面浓度下,它们偏离余误差函数分布。如认为这是由于扩散系数是杂质浓度的函数,实验得到了当杂质浓度大于1019原子/厘米3时,扩散系数随杂质浓度增加而增大的强烈依赖关系。用同样方法测定了磷通过二氧化硅层后在硅中扩散的具体分布,研究了这些杂质分布的特性,实验表明,不同厚度的氧化层在1300℃高温下仍具有掩蔽效应,在完全掩蔽失...