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搜索结果: 1-15 共查到氧化物薄膜相关记录49条 . 查询时间(0.132 秒)
中国科学院合肥物质科学研究院专利:P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域应用潜力巨大。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等瓶颈问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产...
作为长波红外底折射率材料的十种稀土氟化物和稀土氧化物薄膜研究。
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO 面板驱动。以IGZO 为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率 (10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特的优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显...
2023年2月11-12日,山西师范大学材料科学研究院周国伟副教授应邀参加了西安交通大学举办的“第三届氧化物薄膜材料青年学者论坛”,并线上做了题为《界面工程对锰氧化物异质结物性的调控》报告。本次报告就我们团队近期在钙钛矿锰氧化物异质结中利用极性不连续、离子液体门电压和微观自由度调控磁电特性的内容做了详细交流。
随着摩尔定律的发展,芯片的功能越来越强大,集成度也越来越高。然而随着10nm技术节点的接近,普通TFT面临着严重短沟道效应和高成本投入的双重严峻挑战。而肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势而在近年来受到广泛研究和关注。相比于普通TFT,肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应...
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作,在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。该研究团队生长了高质量的铁磁半金属性锰氧化物外延薄膜(La2/3Sr1/3MnO3),并通过在薄膜中引入Ru元素掺杂诱导了可观的自旋阻挫效应和室温下3个数量级的反常霍尔电阻增强。相关成果日前以“Ru doping Induced S...
信息社会的发展需要物联网和大数据等新兴技术,因此以钛酸钡(BTO)为代表的具有铁电性、压电性、非线性光学和挠曲电特性等多种功能的钙钛矿型氧化物材料受到了广泛关注。“后摩尔”时代,人们需要将BTO等氧化物薄膜与硅衬底集成;此外,生物传感、穿戴式电子器件等新型应用对于柔性衬底上高质量氧化物薄膜的需求日益迫切。但是,无论是在硅衬底上或是柔性衬底上实现外延单晶BTO薄膜都非常困难。硅表面在氧化物薄膜的生长...
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
近期,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在宽带隙氧化物薄膜非线性吸收系数测量研究方面取得进展。研究团队通过抑制薄膜基底的非线性响应,提高测量信噪比,获得了HfO2、Al2O3和SiO2等常用薄膜材料的非线性吸收系数。相关成果发表在Optical Materials Express(《光学材料快讯》)上。HfO2、Al2O3和SiO2等薄膜材料是高功率激光系统中的常用材料,由于其光学带隙...
2022年2月8日,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在宽带隙氧化物薄膜非线性吸收系数测量研究方面取得进展。研究团队通过抑制薄膜基底的非线性响应,提高测量信噪比,获得了HfO2、Al2O3和SiO2等常用薄膜材料的非线性吸收系数。相关成果发表在Optical Materials Express(《光学材料快讯》)上。

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