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中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件(PDK)(图)
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日,在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议(CCF DAC)openDACS开源EDA专题论坛上,微电子所集成电路制造技术重点实验室(中国科学院)发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
中国科学院宁波材料所氧化物薄膜晶体管人工光电突触研究取得进展(图)
宁波材料 氧化物 薄膜晶体 人工光电
2023/9/19
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
宁波材料所在氧化物薄膜晶体管人工光电突触方面取得研究进展(图)
光电 非晶氧化物 半导体薄膜晶体
2023/11/4
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域应用潜力巨大。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等瓶颈问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产...
中国科学院国家纳米科学中心专利:一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 ZnO 薄膜晶体管 修饰 制备方法
2023/6/25
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO 面板驱动。以IGZO 为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率 (10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特的优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显...
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31