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中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法
宁波材料所在氧化物薄膜晶体管人工光电突触方面取得研究进展（图）
光电 非晶氧化物 半导体薄膜晶体
2023/11/4
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域应用潜力巨大。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等瓶颈问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO 面板驱动。以IGZO 为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率 （10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特的优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显...
中国科大在过渡金属氧化物薄膜室温反常霍尔效应研究中取得重要进展（图）
金属氧化物 薄膜室温反常 霍尔效应
2022/10/14
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作，在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。该研究团队生长了高质量的铁磁半金属性锰氧化物外延薄膜（La2/3Sr1/3MnO3），并通过在薄膜中引入Ru元素掺杂诱导了可观的自旋阻挫效应和室温下3个数量级的反常霍尔电阻增强。相关成果日前以“Ru doping Induced S...
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层，成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响，对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明，在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能，所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示，该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
2022年2月8日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在宽带隙氧化物薄膜非线性吸收系数测量研究方面取得进展。研究团队通过抑制薄膜基底的非线性响应，提高测量信噪比，获得了HfO2、Al2O3和SiO2等常用薄膜材料的非线性吸收系数。相关成果发表在Optical Materials Express（《光学材料快讯》）上。
上海光机所在宽带隙氧化物薄膜非线性吸收系数测量研究方面取得进展（图）
氧化物薄膜 非线性吸收 系数测量
2023/1/7
2022年2月8日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在宽带隙氧化物薄膜非线性吸收系数测量研究方面取得进展。研究团队通过抑制薄膜基底的非线性响应，提高测量信噪比，获得了HfO2、Al2O3和SiO2等常用薄膜材料的非线性吸收系数。相关成果发表在Optical Materials Express（《光学材料快讯》）上。
高效地调控氧空位的有序分布是对功能氧化物物态调控的重要手段之一。研究人员已经掌握了利用应力和化学势等手段改变氧化物中的氧含量。这些技术对功能材料在人工智能、传感、储能、催化等领域具有重要的应用需求。过去的理论计算和实验结果均表明，在衬底施加的张应力作用下，氧化物薄膜的氧空位形成能显著降低而离子迁移能会显著提升，造成材料氧含量的缺失；然而，衬底施加的压应力几乎不会改变薄膜中的氧含量。这种应力对氧空位...
对于过渡金属氧化物体系，离子缺陷在诱导或提升材料功能方面起到了非常关键的作用。人为调控离子过程是控制过渡金属氧化物功能的非常有力手段。氧缺陷和金属离子的缺陷可以在特定的温度和电场下移入、或者移出样品，进而产生磁有序、金属-绝缘体转变、铁电极化甚至结构转变等独特的物理现象。研究表明，通过控制离子的有序迁移，可在过渡金属氧化物ABOx中诱导产生拓扑学结构相变（topotactic phase tran...
自然界中存在的材料非常丰富，人类在日常生活中充分享受了各种各样大自然的馈赠，比如钻石、玛瑙、石油、煤矿、金属矿产等等。世界上还有另一类材料，它们靠人工合成实现，当我们想到各种各样的材料时，通常不会想起它们，但这不代表它们不重要。薄膜就是这样的一类材料，早期人们为了节省成本，把大块单晶用微米甚至纳米厚度的薄膜来代替，大大节省了成本，同时也提高了效率，这就是芯片的来源。现在有一种新的研究，专门用于开发...
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心陆轻铀和吴文彬合作团队在一系列锰氧化物薄膜中诱导产生了一种新型的结构畴壁，并且依托自主研制的18/20T组合显微镜测量平台对其进行了观测，研究了其对相分离的限制作用。相关成果以Induced formation of structural domain walls and their confinement on phase dynamics in ...
中国科学院合肥物质科学研究院在氧化物薄膜中直接观测到斯格明子（图）
中国科学院合肥物质科学研究院 氧化物 薄膜 斯格明子
2018/11/29
中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究员陆轻铀课题组在斯格明子的研究中取得新进展。该课题组人员利用自主研制的强磁场磁力显微镜（MFM），首次实现了氧化物薄膜中skyrmions（斯格明子）的直接观测。相关研究作为国际合作成果，于11月5日以Ferroelectrically tunable magnetic skyrmions in ultrathin oxide heterostruct...
中国科学院固体研究所固体所在透明导电氧化物薄膜研究方面取得系列进展（图）
中国科学院固体研究所 固体 透明导电 氧化物
2018/4/28
近期，固体所功能材料研究室在透明导电氧化物（transparent conducting oxide, TCO）薄膜研究方面取得系列进展，相关成果相继在Advanced Electronic Materials (Adv. Electron. Mater. 4, 1700476 (2018))，Journal of Materials Chemistry C (J. Mater. Chem. C ...