搜索结果: 31-45 共查到“氧化物薄膜”相关记录49条 . 查询时间(0.207 秒)
铥激光器腔镜用高损伤阈值氧化物薄膜的研制
氧化物薄膜 2 μm波段 激光损伤
2016/8/2
2 μm波段激光器在环境探测、测风雷达、生物组织切割、光电对抗等领域都有重要的应用价值和前景。而此波段的薄膜通常采用折射率较高的硫化物、砷化物等软膜材料来制备,为了提升该波段薄膜的损伤性能,采用折射率相对较低但能带隙更宽的氧化物材料来制备。利用傅里叶红外光谱仪和弱吸收测试仪分析表征了薄膜中OH基含量的多少和薄膜整体吸收的大小,通过优化工艺,成功制备出了满足2 020 nm的铥(Tm)激光器使用要求...
水滑石不仅是一种重要的水处理吸附剂,而且在超级电容器方面有广泛应用. 本研究采用原位生长法,由泡沫镍作为基体并提供镍源,在泡沫镍表面合成了镍铝复合氧化物(NiAl-MMO)薄膜即类水滑石煅烧产物. 所制得的 NiAl-MMO薄膜电极的电化学性质稳定、 电容量高,此薄膜电极的单位质量的比电容量可高达 667 F ·g-1. 对此电极进行电容除盐性能研究,结果表明,增加电压和弱碱性pH环境有利于该电极...
清华大学化学系 | 无机氧化物薄膜用于乳液分离的研究取得新进展(图)
油水分离材料 无机氧化物 抗污染性能
2021/8/12
随着生产和生活中含油污水的大量排放，以及海上原油泄漏事故的频频发生，对于油水分离材料的探索与研究已经成为关系到人民生活、经济发展与环境安全的重要课题。课题组将特殊浸润性应用于油水分离材料，通过构筑合适的表面组成和粗糙结构，成功得到了系列高效、稳定、实用的油水分离材料。
采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜, 用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征, 研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明, 制备出的IGZO薄膜均为非晶结构, 成分与靶材基本一致, 电学性能对溅射电流不敏感, 而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加, 薄膜的载流子浓度先增加后减小, 而Hall迁移率随着载流...
采用正交试验设计方法，系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜的沉积速率与工艺参数（基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量）之间的关联性。采用正交表L9（34）设计了9 组实验，采用时间监控的离子束溅射沉积方法，分别制备HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜，并对三种薄膜的27 个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度，继而获得沉积速率。实验结果表明：对Ta2O5 和SiO2 薄膜...
退火温度对溶胶-凝胶法制备锌锡氧化物薄膜晶体管的影响
溶胶-凝胶法 退火温度 薄膜晶体管 电学性能
2013/11/30
采用溶胶-凝胶法制备了非晶锌锡氧化物(ZTO)薄膜晶体管(TFT),通过热重-差热分析(TG-DTA)对ZTO胶体中的化学反应进行了分析,研究了不同退火温度对ZTO TFTs性能的影响。结果表明:当退火温度在300~500℃范围内时,薄膜为非晶态结构,薄膜表面致密、平整。当退火温度达到400℃时,薄膜在可见光范围内具有高透过率(>85%)。随着退火温度的升高,器件阈值电压明显降低,由15.85 V...
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓锌氧化物
2014/3/20
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95 cm2/V·s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49 V。
直流磁控反应溅射法制备的钒氧化物薄膜及其光谱研究
氧化钒薄膜 反应溅射法 UV-Vis光谱
2011/5/12
用直流磁控反应溅射法和不同基底温度下在玻璃底上沉积微纳结构的氧化钒薄膜，通过X射线衍射、电子扫描显微镜、UV-Vis透射、红外和拉曼光谱研究了薄膜的结构特性。在低温下制备的薄膜表现出高的光学透过特性，在基底温度低于200 ℃下制备的薄膜具有无定形结构，而在基底温度高于200 ℃时制备的薄膜具有多晶结构。薄膜的光学参数使用经典模型计算，通过测量和拟合透射光谱获得了薄膜的禁带宽度变化规律。
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
2014/3/27
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8 V,迁移率为25.4 cm2·V-1·s-1,开关比为106。
磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能
铜钒氧化物薄膜 磁控溅射 阴极材料 电化学性能
2009/11/23
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O...
表面施加含稀土氧化物薄膜对Fe25Cr高温氧化的“活性元素效应
氧化物薄膜 Fe25Cr 高温氧化
2009/9/11
研究了表面施加含有不同量Ｙ２Ｏ２的Ｃｒ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３薄膜对Ｃｒ２Ｏ３形成合金Ｆｅ２５Ｃｒ在１０００℃、１０４ＰａＯ２环境中高温氧化的作用。结果发现含Ｙ氧化物薄膜明显降低了Ｃｒ２Ｏ３层的生长速度，而且含Ｙ复合氧化物薄膜的作用大于 Ｙ２Ｏ３薄膜，此时，Ｃｒ２Ｏ３层表面形貌发生了较大的变化，间接证据表明Ｃｒ２Ｏ３的生长机制的由阳离子向外扩散为主转变阴离子向内扩散为主，通过表面施加含Ｙ的氧化物薄膜产生...
根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg＞2eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3／1％Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.
锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能
锡基氧化物薄膜 制备 电化学性能
2009/2/6
制备了SnOx(1≤x≤2)薄膜,研究了氧化温度对薄膜形貌、结构及性质的影响.结果表明,SnOx薄膜表面光滑、厚度均匀且致密,由纳米尺寸、分布均匀的晶形颗粒组成,颗粒粒径随着氧化温度的升高而逐渐变大;SnOx薄膜电极初始可逆容量随着氧化温度的升高而降低,首次容量损失则随氧化温度的升高而增大.在温度为600℃氧化2 h,SnOx薄膜的可再充放电性能最好.
镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
薄膜材料 导电金属氧化物
2008/12/5
本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法，该方法包括：前驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸﹑去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备，即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜，然后在快速退火炉中分段进行热处理，形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性，在室温下的电阻率约为7.6 ′1...