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西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第二章 化合物半导体材料与器件基础。
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第一章 绪论。
科学家制备超薄半导体材料
科学家 制备 超薄 半导体材料
2019/4/15
南京工业大学教授王琳课题组制备的超薄高质量二维碘化铅晶体，实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。日前这一成果发表在《先进材料》上。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2018年授权发明专利。
近日，包括特聘教授陈宇林、助理教授柳仲楷、薛加民、李刚课题组在内的我校物质学院科研团队，与北京大学彭海琳课题组紧密合作，在新型超高迁移率层状氧化物半导体材料Bi2O2Se的电子结构研究中取得重要进展。9月14日，相关工作以“Electronic Structures and Unusually Robust Bandgap in an Ultrahigh Mobility Layered Oxid...
上海科技大学物质科学与技术学院米启兮课题组报道新型高性能半导体材料（图）
新型高性能；半导体材
2021/11/15
上海科技大学物质科学与技术学院系统材料学研究部米启兮课题组针对一种化学式为CsSnBr3（溴化锡铯）的新型半导体材料进行了深入研究。与同类材料相比，更有利的晶体结构和能带结构使CsSnBr3在光照下产生自由载流子，对温湿度的稳定性也有显著提升，展现出在太阳电池和光探测器方面的良好应用前景。近日，该成果以“All-Inorganic Perovskite CsSnBr3as a Thermally ...
西安电子科技大学郝跃发现半导体材料“新大陆”（图）
西安电子科技大学 郝跃 半导体材料 新大陆
2018/5/24
“谁掌握了我们的芯片，谁就掌握了我们的信息空间。信息空间虽然呈现为多维的、抽象的、不可见的，但却实实在在地影响着我们的生活。人们在这个空间一旦失去自由，就没有安全感。”5月10日，西安电子科技大学宽禁带半导体材料首席专家郝跃院士再次郑重地重复了他当选院士时说的话。郝跃，1958年3月生于重庆市，籍贯安徽阜阳，中国科学院院士、微电子学家。1982年，郝跃毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1...
韩国研发出新型半导体材料
韩国 半导体材料
2018/1/22
韩国科学技术研究院发布消息称，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合，研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
在国家863计划的支持下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头，中科院物理所、半导体研究所、浙江大学，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司和全球能源互联网研究院共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备，形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸...
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室出版著作。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2016年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2015年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2014年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2013年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2012年专利授权情况。