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西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室专利申请情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利（4）。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利（3）。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利（2）。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利（1）。
上海科技大学物质学院助理教授米启兮课题组，在理论指导下设计出新型钙钛矿半导体材料，并制备成光电二极管器件验证其高性能和高稳定性。最近，相关成果以“Symmetrization of the Crystal Lattice of MAPbI₃ Boosts the Performance and Stability of Metal–Perovskite Photodiodes”为题在国...
中国科学院半导体材料科学重点实验室主要研究内容：（1）低维半导体材料的生长及表征、光电特性预测、原理器件验证；（2）红外及THz量子级联材料与器件；（3）光子集成材料和器件；（4）宽禁带半导体材料与器件；（5）单晶衬底及特殊环境半导体材料。
2017OSA半导体材料和接口的物理化学专题会议（Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Interfaces XVI）
2017 OSA 半导体材料和接口的物理化学 专题会议
2017/4/26
2017OSA半导体材料和接口的物理化学专题会议（Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Interfaces XVI）。
为积极有序推进“战略性先进电子材料”重点专项“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目的组织实施工作，2016年10月23日此专项项目启动会在北京顺利召开。会议由科技部高技术研究发展中心指导，项目牵头单位北京大学主持，共14家支持单位协办召开。
人类拍摄到半导体材料内部电子运动
人类 拍摄 半导体材料 电子运动
2016/10/14
英国《自然·纳米技术》杂志10月11日在线发表论文称，科学家们利用飞秒技术首次成功拍摄到半导体材料内部电子状态变化。该成果将提供对半导体核心器件前所未有的洞察。自20世纪后期以来，半导体器件技术进步集中且明显，譬如晶体管、二极管以及太阳能电池等。这些器件的核心，正是电子在半导体材料中进行的内部运动，然而，由于电子的速度极快，测量电子运动是一个重大难题。一直到2008年，瑞典科学家才运用具有超短和超...
福建物构所卤化铅杂化半导体材料研究获进展（图）
卤化铅杂化半导体材料
2016/2/29
卤化铅钙钛矿无机-有机杂化材料在光电子器件、太阳能电池、催化、离子交换和快离子导体等方面具有重要应用价值，作为新型光伏材料备受科学家关注，其光电转换效率已迅速刷新到20%，并有望达到晶体硅电池25%的水平。这类材料的半导体性能主要来源于杂化材料中的无机骨架部分，目前研究主要集中在三维钙钛矿无机结构和二维层状无机结构上。寻找具有新型卤化铅结构的杂化材料或可成为解决当前这类材料稳定性不好和导电性能差的...
中国科学技术大学二维磁性半导体材料研究获进展
中国科学技术大学 半导体材料
2015/5/29
中国科学技术大学国家同步辐射实验室副研究员闫文盛、孙治湖和刘庆华组成的研究小组在教授韦世强的带领下，利用同步辐射软X射线吸收谱学技术，在研究二维超薄MoS2半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。该研究成果发表在《美国化学会志》上。
二维超薄半导体纳米片具有宏观上的超薄性、透明性、柔韧性和微观上优异的电学、磁学和光学性能，是实现自旋电子器件微型化和功能最大化、制备大面积和高质量的纳...
著名半导体材料专家阙端麟院士逝世（图）
半导体材料专家 院士 逝世
2014/12/24
据浙江大学官网消息：中国共产党的亲密朋友，九三学社原中央常委、浙江省主委，我国著名半导体材料专家、中国科学院院士、浙江省政协原副主席、省科协原主席、原浙江大学副校长、教授阙端麟先生，因病医治无效，于2014年12月17日15时58分在杭州逝世，享年87岁。【讣告】
阙端麟先生遗体告别仪式于12月22日上午9时30分在杭州殡仪馆举行。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所铋化物半导体材料研究受到国际关注（图）
微系统 信息技术 铋化物 半导体材料
2014/6/13
铋是元素周期表中最重的非放射性元素，与邻近的其它重金属元素相比，毒性最小，被认为是一种“绿色”元素。铋化物半导体材料包括III-V化合物半导体中掺入少量铋原子形成的稀铋材料、Bi2Te3和Bi2Se3等传统热电材料和新型拓扑绝缘体材料以及以BiFeO3为代表的含铋氧化物材料等，具有很多新奇的物理特性，有望取代Cd、Pb、Sb、Hg等有毒重金属元素，成为信息、能源和医学领域中新一代可持续的半导体功能...
中国科学院半导体材料科学重点实验室2010授权发明专利。