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中国科学院半导体材料科学重点实验室2009年度授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2008年授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2007年前授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2010年度发表SCI论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2009年度发表论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2008年发表论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2007在国际刊物上发表的论文。
中国科学院半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体材料科学重点实验室 半导体材料
2014/3/27
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准，1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士；实验室第一、二届主任为王占国院士，第三届主任为陈诺夫研究员，第四-五届主任为陈涌海研究员，现任实验室主任为刘峰奇研究员。
中国科学院半导体研究所发现一种新的二维半导体材料——ReS2（图）
半导体 二维半导体材料 ReS2
2014/2/19
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，即Nature Communication, 2014,5, Article number:3252, doi:...
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用有向前推进了一步。
超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体
超高压 半导体材料 拓扑绝缘体
2013/12/16
据物理学家组织网2013年12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。
用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现 有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O 薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个...
有机晶体管由于质量轻，可大面积制备和可应用于柔性基底的特点，在柔性显示、电子标签、传感器等方面具有重要应用。高性能有机半导体材料是有机晶体管的核心组成部分，是有机晶体管应用的基础。近期，中科院上海有机化学研究所李洪祥课题组在p-型和n-型高性能有机半导体材料方面取得了一系列进展。
基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。