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中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家重点基础研究发展规划项目（973）。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家高技术研究发展计划项目（863）。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重大项目
中国科学院 半导体材料 科研项目 自然科学基金
2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重大项目。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目
中国科学院 半导体材料 科研项目 自然科学基金
2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目创新工程重要方向项目、装备研制
中国科学院 半导体材料 科研项目 创新工程
2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目创新工程重要方向项目、装备研制。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...