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搜索结果: 1-5 共查到学术机构 半导体材料相关记录5条 . 查询时间(0.158 秒)
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室设立于2004年,紧紧围绕宽禁带半导体材料研究方向,以前瞻性、基础性研究为先导,以系统性、创新性的关键技术突破为核心,以服务于国民经济和国防建设为目标,坚持科学研究、人才培养和学术交流并重,把实验室建设成为我国宽禁带半导体技术的创新性研究基地、高层次人才培养基地以及学术与技术交流转化基地,推动我国宽禁带半导体技术研究迈向国际先进行列。
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准,1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士;实验室第一、二届主任为王占国院士,第三届主任为陈诺夫研究员,第四-五届主任为陈涌海研究员,现任实验室主任为刘峰奇研究员。
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准,1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士;实验室第一、二届主任为王占国院士,第三届主任为陈诺夫研究员,第四-五届主任为陈涌海研究员,现任实验室主任为刘峰奇研究员。实验室面向国家重大需求,围绕国际半导体材料科学前沿和要解决的关键科学与技术问题,开展半导体材料与...
广州半导体材料研究所创办于1966年,主要研究超纯硅多晶、高阻硅单晶、大规模集成电路级硅单晶片工艺技术及测试方法、测试仪器、电力电子元器件。目前利用半导体材料生产的配套技术及晶体生长技术,建立了测试技术开发中心、半导体技术开发中心、光电晶体研究开发中心、压电晶体研究开发中心、洁净技术中心。
天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验。开发了多项具有自主知识产权的特色产品,“直拉区熔(CFZ)硅单晶的研制”获国家知识产权局颁发的生产发明专利证书,并获天津市专利金奖。“气相掺杂区熔硅单晶的生产方法”等5项具有自主知识产权的项目,已通过国家知识产权局“发明专利申请初步审核”等。

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