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日本新技术:一滴水流过半导体材料产生超5伏电压
日本新技术 一滴水 半导体材料 超5伏电压
2020/2/28
据《日本经济新闻》报道,日本名古屋大学教授大野雄高和九州大学教授吾乡浩树研究团队开发出了只要一滴水流过其表面就能产生5伏以上电压的元件,可应用于传感器的电源。在由碳原子形成单层片状结构的“石墨烯”上,水滴流过其表面时可以发电,但产生的电压只有几十毫伏到几百毫伏,不足以驱动传感器等电子设备。研究团队将目光投向了作为半导体材料而备受关注的“二硫化钼”。尽管二硫化钼可以制成极薄的薄片,但无法将仅为一层的...
近日,我校理学院谭佐军教授带领的“光电系统与信息处理”团队和中国科学院武汉物理与数学研究所研究员张嵩研团队合作,在钙钛矿半导体材料缺陷钝化及太阳能电池性能提升方面取得新进展。相关研究成果以“In situ defect passivation with silica oligomer forenhanced performance and stability of perovskite solar...
山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台2020年博士研究生招生专业目录。
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室出版著作。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室研究成果。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2016年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2015年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2014年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2013年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室2012年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室专利申请情况(5)。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利(4)。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利(3)。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室部分国家发明专利(2)。