搜索结果: 76-90 共查到“物理学 氮”相关记录116条 . 查询时间(0.147 秒)
空气介质阻挡放电中氮分子离子的转动温度研究
介质阻挡放电 转动温度 光谱诊断
2009/4/30
采用液体电极装置，首次在空气介质阻挡放电中观察到了清晰分辨的氮分子离子第一负带(0，0)转动谱。根据转动光谱的强度分布，确定转动能级上粒子最大布居数位置，估算了氮分子离子的转动温度。改变外加电压和放电气体的气压，研究了转动温度的变化，发现当气压在10.133～60.795 kPa范围时，随电压的增加，谱线强度增加，但其转动光谱的强度分布不变，说明转动温度保持不变。上述结果对于空气介质阻挡放电理论模...
四硝基酚臂式氮杂18-冠-6与稀土离子配位性能的研究
四硝基酚臂式氮杂18-冠-6 合成 稀土离子 紫外可见光谱法 配位性能
2009/4/28
合成并表征了1，10-二氧-4，7，13，16-四氮杂18-冠-6(L1)母体及其硝基酚臂式衍生物(L2)。在H2O-DMSO(φ=1/4)混合溶剂中用UV-Vis光谱法对L2与H+,Ce3+,Nd3+,Sm3+,Eu3+,Gd3+,Tb3+,Dy3+和Yb3+离子的相互作用进行了研究，并测定了配位稳定常数。结果表明，当溶液中pH值由1.85逐渐增大时，冠醚L2的吸收峰位从314 nm处红移；pH...
退火及溅射气氛对氮化硅薄膜光致发光的影响
磁控反应溅射 氮化硅 光致发光 量子限域效应
2009/4/24
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片，靶材为硅靶，在Ar-N2气环境下，通过改变两种气体的组分比来改变样品成分，并在高纯N2气氛下对其进行高温退火处理。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对样品进行了表征，并测试了样品的光致发光谱 (PL)。实验结果表明：X射线光电子能谱中出现了Si—N键合结构，同时还有少量的Si—O键生成，通过计算得出Si/N比值约为...
对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼(CBN)半导体晶体，在施加恒稳电场的情况下，观察到电致发光现象。通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法，对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。在350～450 nm波长范围内，CBN加上4.7×106 V·cm-1恒稳电场条件下，测量出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱。同时，结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼...
不同施氮水平下玉米冠层光谱反射特征分析
玉米 光谱特征 施氮 红边
2010/5/4
通过田间试验研究了玉米不同生长期冠层光谱反射率的变化特征，分析了不同施氮水平下可见光区冠层光谱反射率的差异。研究结果表明：受作物群体光和能力的影响，玉米可见光区冠层反射光谱在拔节期达最高点，随后持续降低; 近红外区，苗期反射率最低，在拔节期达最高点，喇叭口期有所降低而在开花吐丝期得到回升，进入灌浆期后又下降。不同施氮水平下，拔节期随施氮水平的增加，叶绿素的强吸收带(430～450和640～660 ...
采用紫外可见吸收谱和二次谐波产生技术研究了温度对4硝基4′氨基偶氮苯（NAA）分子Langmuir-Blodgett（LB）单层和多层膜的光谱和二阶非线性光学特性的影响。单层LB膜的二次谐波强度在室温至80 ℃的温度范围内随温度的增加基本成单调下降关系，温度高于80 ℃后基本没有二次谐波信号。多层LB膜的二次谐波强度随温度的变化分为几个不同的温度阶段。吸收谱表明单层LB膜分子的有序排列...
中国科学院物理研究所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体（图）
硼 氮 碳纳米管 半导体
2008/11/26
近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼(B)、氮(N)共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。
合成了显色剂1-(4-甲基-6-羟基嘧啶)-3-(偶氮苯基)-三氮烯(MHPPAT),并研究了它与铜的显色反应.在pH11.0的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,Triton X-100表面活性剂存在下,试剂与铜生成2∶1的紫红色配合物,其最大吸收峰位于540 nm处,表观摩尔吸光系数为2.02×105L·mol-1·cm-1,Cu2 的质量浓度在0～480 μg/L符合比尔定律.用拟定方法测定...
按文献提供的方法合成四硝基二苯并-1,3a,4,6a-四氮杂戊搭烯(TACOT),利用缓慢降温法培养了TACOT单晶试样,X-射线衍射仪测定的TACOT单晶结构表明:TACOT属于正交晶系,空间群为Pbca.晶体学参数为:a=0.85818(2)nm,b=1.14336(4)nm,c=1.43275(5)nm;Z=4;V=1.40583(8)nm3;dc=1.834g/mm3.本文分析了TACOT...
氮化铌超导隧道结检测技术首次应用于天文观测
氮化铌超导隧道结检测技术 天文观测
2008/6/17
近日，美国物理学会《应用物理通讯》[Applied Physics Letter(vol. 92, no. 23)]即将发表紫金山天文台最新研究成果：紫台毫米波亚毫米波实验室研制的0.5-THz频段高灵敏度氮化铌(NbN)超导SIS混频器(噪声温度优于150K)应用于青海省德令哈的POST亚毫米波望远镜，于2007年12月31日成功观测到频率为0.46-THz的CO(J=4-3)星际分子谱线，这是...
掺杂浓度与溶剂对偶氮聚合物薄膜全光开关
偶氮聚合物 全光开关 开关速度 调制深度
2008/4/13
用重复旋转涂膜法制备了乙基红(ER)偶氮染料与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)掺杂聚合物薄膜和乙基橙(EO)与聚乙烯醇(PVA)掺杂聚合物薄膜.测量了两种聚合物薄膜样品全光开关特性，比较分析了薄膜样品的掺杂浓度和溶剂对全光开关效应的影响,实验结果表明:增加掺杂浓度和溶剂,极性薄膜样品的全光开关效应增强且开关的本底信号增大，但对开关的响应速度影响很小；选择合适的掺杂浓度和强极性溶剂，在室温和几个mW的弱...
离子轰击产生湍层氮化硼
湍层氮化硼 离子轰击 透射电子显微镜
2008/1/26
用高分辨率透射电子显微镜检查了N+2离子轰击后的氮化硼样品.发现在片状六方形氮化硼sp2层的弯折区,有0.35mm晶面间距的湍层氮化硼形成.虽然其形成机制尚不清楚,但是基于束流–固体相互作用观点的讨论可能是了解湍层氮化硼结构生长过程的关键所在.
分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力，该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV；而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被...
鋼鐵中碳、氮的擴散、脱溶和沉澱
2007/12/12
一般认为钢的变脆例如蓝脆和回火脆都与钢中的扩散和沉淀有关系。本文尝试用内耗测量的方法研究碳与氮在α-铁及碳素钢中的扩散、脱溶和沉淀,从而进一步地了解钢的变脆的机构。实验的结果指出,碳在α-铁中的扩散不受自身浓度、合金元素和沉淀历史的影响。氮的情形与碳显著不同,合金元素使氮的扩散变慢,在沉淀初期使氮的扩散加速。较有系统地研究了碳、氮在加工后的α-铁中脱溶时所引起的内耗峰(当振动频率约为每秒1周时出现...