搜索结果: 16-30 共查到“物理学 氮”相关记录116条 . 查询时间(0.144 秒)
人为衍生排放进入环境大气中的NOx存在浓度虽极小（ppb级），却是酸雨、光化学烟雾、臭氧损耗的主要元凶，并对人体呼吸和心肺系统有强烈刺激和伤害作用。相比传统的NOx治理技术（包括吸收、吸附和选择性催化还原处理技术等），纳米光催化净化技术可利用太阳能在常温常压下实现环境大气中低浓度NOx的去除，被认为是保卫生态环境和有效处理污染问题的有效策略之一。然而，目前仍然需要克服一些关键科学问题来拓宽光催化净...
低能高电荷态氮离子与Cu表面相互作用致K-X射线发射的研究
X射线 高电荷态离子 X射线产额 电离截面
2022/3/16
利用中国科学院近代物理研究所的电子回旋共振离子源引出的高电荷态氮离子（Nq+，q=3，5，6），在4.5~120keV动能范围内系统测量了Nq+（q=3，5，6）与Cu表面碰撞产生的K-X射线能谱；基于原子壳层电离理论计算了K-X射线产额值及其电离截面值。结果表明：Nq+（q=3，5）离子进入靶表面后与Cu原子发生紧密碰撞，在直接库伦电离的作用下发射K-X射线，并且随着入射离子动能的增加，K-X射...
2022年1月3日，中国科学院院士、中科院大连化学物理研究所催化与新材料研究中心研究员张涛、王晓东、王爱琴、林坚团队，与福州大学教授林森等合作，在单原子催化转化丙烷脱氢制丙烯的研究中取得新进展。该团队报道了氮掺杂碳载体稳定的Ru单原子催化剂，能够实现临氢条件下丙烷高效脱氢制丙烯，可媲美商业化PtSn/Al2O3催化剂。研究发现，Ru单原子中心内壳层和外壳层氮物种对催化剂的高稳定性和高选择性起到重要...
PM2.5（空气动力学粒径小于2.5 μm的颗粒物）是一种主要的大气污染物，严重危害人体健康。世界卫生组织估算全球PM2.5污染每年造成数百万人过早死亡（指死亡年龄低于预期寿命），成为诸多国家亟需解决的重大环境问题。活性氮（Reactive nitrogen; Nr）排放，包括氨氮（NH3）和氮氧化物（NOx），是造成大气PM2.5污染的重要排放来源，它们与二氧化硫（SO2）一起在大气中通过化学转...
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（508组）吴忠帅研究员团队与澳大利亚迪肯大学类伟巍教授团队合作，制备出一种二维硼氮碳纳米筛材料，通过缺陷调控构筑出高比能微型超级电容器，并揭示了此电容器的储能机理。
高质量的氮化铝薄膜是制备高质量深紫外发射器件的关键。由于衬底材料和生产成本的限制，外延氮化铝薄膜具有较高的位错，而且晶体质量通常与基板的错切角度和方向有关。因此，如何以低成本、高效率地获得高质量薄膜成为半导体领域的一个挑战。
近地面臭氧作为一种主要大气污染物，危害人体健康和植被，并显著影响大气氧化性。我国正面临着日益严峻的臭氧污染形势。全球监测数据表明，当前我国华北平原夏季臭氧浓度和健康暴露水平显著高于其他北半球中纬度城市地区。尽管2013年我国实施《大气污染防治行动计划》以来，大幅减少了氮氧化物（臭氧主要前体物）等污染物的人为排放，并有效控制了细颗粒物（PM2.5）污染，但华北平原夏季大气臭氧浓度在2013—2019...
北京大学物理学院高鹏与合作者首次在玻璃衬底上异质外延出准单晶氮化镓薄膜（图）
氮化镓 玻璃衬底 准单晶薄膜 石墨烯玻璃
2021/10/14
以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体是国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中确定的重点发展方向，是我国半导体领域在新一轮科技革命和产业变革中抢占未来竞争制高点的重要机遇。Ⅲ族氮化物薄膜一般通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上外延制备。然而，一方面，蓝宝石与氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配，外延薄膜质量较差，严重影响器件的性能及可靠性，成为目前宽禁带...
近日，南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊与瑞士洛桑联邦理工大学教授Elison Matioli、苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯等团队合作，在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power conversion”的研究论文，报道了基于多沟道技术和宽禁带半导体氮化镓（GaN）的新型纳米电力电...
ACS Nano: 通过热退火在原子级二维氮化碳中实现室温铁磁性的研究（图）
热退火 二维氮化碳 室温铁磁性 自旋半导体
2022/5/13
原子级厚度的二维氮化碳因具有3.06 eV的本征带隙而比零带隙的石墨烯在自旋半导体应用方面具有更大的潜能。然而，该材料本身没有未配对电子为本征抗磁性，这限制了其在自旋半导体中的应用。因此，如何在该材料中引入高浓度局域自旋并实现其长程铁磁耦合，从而实现强的室温铁磁性是一项紧迫而具有挑战性的课题。
中国科学院合肥物质科学研究院在氮化钒超级电容器材料研究中取得进展（图）
氮化钒 VN 电容器性能 电极材料
2021/7/28
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所功能材料物理与器件研究部研究员朱雪斌课题组在氮化钒（VN）超级电容器材料研究中取得进展。研究人员采用溶液法在硅基片上制备出多孔VN薄膜，该薄膜显示出优异的超级电容器性能。
氮化镓（GaN）材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度，使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度，简化了电路设计和散热支持，具有重要的价值和广泛的应用。然而，在GaN基电子器件中实现高耐压性能，有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
新二维材料铍氮烯具有独特电子特性
二维材料 铍氮烯 量子技术
2021/5/10
据最新一期《物理评论快报》报道，德国拜罗伊特大学研究人员主导的一个国际团队首次利用现代高压技术，开发出一种以前未知的二维材料铍氮烯（beryllonitrene）。新材料由规则排列的氮原子和铍原子组成，拥有独特的电子晶格结构，有望在量子技术领域大显身手。
在高质量UV-LEDs的应用中，AlN薄膜的应力和光学性能对器件性能至关重要。目前，采用纳米图案化蓝宝石作为衬底的方法，可以有效降低晶格失配引起的应力和位错密度。本研究针对AlN薄膜在纳米图案化和平面蓝宝石衬底上的应力和光学特性随温度的变化情况进行了比较和分析，结果表明图案化衬底生长的AlN有更小的压应力，图案化产生的纳米孔洞为应力的释放提供了通道；从衬底界面到外延层表面应力由张应力转变为压应力。...
