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气凝胶/二硒化铌超晶格材料实现电声子解耦（图）
气凝胶 二硒化铌 超晶格材料 电声子解耦
2024/1/9
自石墨烯被发现以来，原子层级别厚度的二维材料引起了学界的广泛关注。与普通块体材料相比，剥离后的单层材料，其电子和声子均呈现出完全的二维化行为特征，诱发了丰富多样的新奇物性。然而，二维材料多依赖于衬底的约束，来自衬底的电子特别是声子的影响无法避免。同时，单层材料还大多不具备化学与环境稳定性。上述问题在普通块体材料中并不存在。因此，在块体材料中实现层间退耦合，诱导出本征二维特性具有重要的意义，有利于二...
Ⅱ－Ⅵ族化合物原子层外延生长及短期超晶格量子阱的特性研究。
摩尔超晶格体系在半填充时的奇异量子输运行为（图）
摩尔超晶格体系 半填充 奇异量子输运
2023/1/5
基于半导体过渡金属硫族化合物的摩尔超晶格为研究二维电子体系中的关联效应提供了新的平台。近年来，研究人员在实验中观测到此类体系中存在着摩尔激子，莫特绝缘态、广义魏格纳晶体、量子反常霍尔效应等丰富而新奇的量子物态。普遍认为过渡金属硫族化合物摩尔超晶格的低能哈密顿量可以由三角晶格上的哈伯德（Hubbard）模型来描述。尽管人们已经对这一模型进行了广泛的研究，但是由于问题的复杂性和缺乏合适的实验体系，它在...
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。