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中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
This paper discusses the algorithm and error estimates for solving space inhomogeneous semiconductor Boltzmann equations with multi-valley, which describe the transport properties of carriers in semic...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 半导体 激光云 自动测量仪 光机系统
2023/11/16
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
近日，美国光学学会（Optica）宣布了2024年度新当选会士（Fellow）名单，来自26个国家的129名科学家新当选为美国光学学会会士（Optica Fellow）。中国科学院半导体研究所李明研究员因其在微波光子信号产生和可编程光学信号处理研究领域开创性的贡献（For pioneering contributions to microwave photonic signal generatio...
中国科学院半导体研究所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
各向 异性平面 能斯特效应
2023/8/3
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
“量子”学术沙龙第三期：杂化半导体中的自旋量子态调控（图）
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
2023年4月27日下午15:00，“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行，报告由翟亚新教授主讲，廖洁桥副院长主持，学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
中国科学院物理研究所专利：一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法
中国科学院物理研究所专利：三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而，目前印刷的二维晶体管，受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
在实现量子计算的多种方案中，基于马约拉纳零能模的拓扑量子计算有望从物理原理层面解决量子退相干问题，受到广泛关注。理论预言，具有强自旋轨道耦合的窄禁带半导体InAs和InSb纳米线与超导体耦合，可以实现马约拉纳零能模和拓扑量子计算。然而，由于窄禁带半导体纳米线与常规超导体之间晶格失配很大，高质量样品的制备一直是制约半导体-超导纳米线拓扑量子计算研究的关键难题。
分布式声传感（Distributed Acoustic Sensing, DAS）技术：利用相干瑞利散射光的相位而非光强来探测音频范围内的声音或振动等信号, 不仅可以利用相位幅值大小来提供声音或振动事件强度信息，还利用线性定量测量值来实现对声音或振动事件相位和频率信息的获取。DAS可以认为是一个移动干涉式传感器在传感光纤探测外界信号，当声音或振动引起该位置干涉光相位的线性变化，通过提取该位置不同时...
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。