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2023年7月17日，微电子所健康电子中心黄成军研究员、赵阳副研究员团队在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。单细胞电学特性生物传感与分析技术为单细胞生物物理学研究提供了一个新维度。该技术已被证明在全血分析、肿瘤细胞分型和免疫细胞状态评估方面具有重要的应用潜力。但现有的电学检测方法难以实现高通量实时性分析，严重限制了需要大量系统实验的单细胞电学特性研究的开展。
上海光机所在太赫兹波电子加速研究中取得重要进展（图）
太赫兹波 电子加速 光学集成化
2023/8/18
2023年7月14日中科院上海光机所李儒新、田野和宋立伟团队在太赫兹波电子加速领域取得重要进展。研究团队基于上海光机所新一代超强超短脉冲激光综合实验装置，利用超强超短激光驱动丝波导产生毫焦耳级太赫兹表面波，并采用表面波进行电子加速，解决了高能量太赫兹波产生以及自由空间太赫兹波至波导能量耦合效率低等难题。该项研究将太赫兹波的产生、传输及耦合集成到波导上，并在波导管中5mm距离实现了最高1.1 MeV...
中国科学院微电子研究所专利：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
中国科学院微电子研究所 专利 等离子体 浸没注入 中剂量检测
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳化硼 碳化硅 复合涂层
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
中国科学院微电子研究所 专利 等离子体 浸没离子 注入系统
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
中国科学院微电子研究所专利：可实现快速阻抗匹配的射频电源系统
中国科学院微电子所在氮化镓表面态物理起源与抑制方面取得新进展（图）
氮化镓表面 态物理起源 电子应用
2023/8/21
2023年7月5日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所合作在氮化镓（GaN）表面态物理起源与抑制研究方面取得了重要进展，揭示了GaN表面天然氧化物中的无定型Ga2O是界面态的主要来源，创新研发出高温（500℃）远程等离子体表面修饰方法以有效去除该成分，成功恢复了GaN表面原子级台阶流形貌（超净GaN表面的代表性特征），显著抑制了介质/GaN间的深能级界面态，改善了...
汉江师范学院物理与电子工程学院李晓奇副教授（图）
汉江师范学院物理与电子工程学院 李晓奇 副教授 物理学 非线性光学
2024/4/11
李晓奇，男，武汉市人，1987年参加工作，汉江师范学院物理与电子工程学院副教授。