搜索结果: 1-15 共查到“凝聚态物理学 电子”相关记录344条 . 查询时间(0.554 秒)
中国科学院科学家利用高次谐波光谱解锁高压超导体的电子结构（图）
光谱解锁 高压超导体 电子结构
2024/2/22
高压为凝聚态物质创造了很多新奇物态，揭示了新的物理和化学现象。其中，在高压氢化物如H3S和LaH10中发现的近室温超导（Tc > 200 K）引起了科学家的关注。高压超导体的超导转变温度不断升高，但因缺乏有效的探测手段，高压量子态中电子结构和超快动力学行为未知，其超导机制仍是悬而未决的问题。
铁基超导体作为第二大类高温超导材料，自2008年发现以来，其超导配对机理一直是凝聚态物理领域的重大前沿问题。确定超导能隙对称性和导致电子配对的媒介是解决超导机理的两个先决条件。铁基超导体是一个典型的多带体系，其配对对称性和费米面的拓扑结构密切相关。大多数铁基超导体具有布里渊区中心（Γ点）的空穴型费米面和布里渊区角落（M点）的电子型费米面，其配对对称性普遍被认为是s± (Γ-M), 即在Γ点空穴型费...
美国科研人员首次在三维晶体中捕获电子
三维晶体 捕获电子 美国麻省理工学院
2024/1/17
美国麻省理工学院的科研人员首次在三维晶体中捕获了电子，实现了电子“平带”状态。这种特定的三维晶体结构允许电子在相同能态中移动，而不是在原子之间跳跃。通过改变晶体中原子种类，可操纵这些“平带”使其进入超导状态。该研究成果发表在《Nature》上。
中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展（图）
电路 器件 晶体
2024/2/28
IGZO薄膜晶体管（TFT）由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比，IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势，该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证，以及多个单元间SN电压的均一性，仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
中国科学院物理所在新型笼目超导体中发现非平庸拓扑能带和轨道选择性电子向列相（图）
拓扑 轨道 电子 凝聚态物理
2024/1/10
笼目（kagome）结构材料因其独特的kagome结构而具有平带、范霍夫奇异点（VHS），以及具有线性色散关系的狄拉克点等特殊的电子能带结构，展现出电子强关联、拓扑以及多体效应，很快成为研究几何阻挫、非平庸拓扑能带以及多种电子序耦合与竞争的重要平台，是凝聚态物理研究的热点之一。2020年发现的笼目超导体AV3Sb5 (A=K, Rb和Cs)因其新颖的电荷密度波序、手性磁通相、反常霍尔效应、非常规超...
笼目（kagome）结构材料因其独特的kagome结构而具有平带（flat band）、范霍夫奇异点（Van Hove singularities，VHS）、以及具有线性色散关系的狄拉克点（Dirac point）等特殊的电子能带结构，展现出电子强关联、拓扑以及多体效应，很快成为研究几何阻挫、非平庸拓扑能带以及多种电子序耦合与竞争的重要平台，是凝聚态物理研究的热点之一。2020年发现的笼目超导体A...
中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件（PDK）（图）
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日，在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议（CCF DAC）openDACS开源EDA专题论坛上，微电子所集成电路制造技术重点实验室（中国科学院）发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
中国科学院物理研究所揭示三层铜氧化物超导体高临界温度的电子结构起源（图）
三层铜氧化物 超导体 高临界温度 电子结构起源
2023/10/16
自1986年铜氧化物高温超导体发现以来，探讨高温超导机理和进一步提高超导转变温度是凝聚态物理研究的核心问题。铜氧化物高温超导体的母体是反铁磁Mott绝缘体。高温超导电性是通过向母体掺入适量的载流子得以实现。有研究表明，超导转变温度TC不仅取决于铜氧面CuO2的掺杂浓度，而且依赖于晶胞中CuO2面的层数（n），且在三层体系（n=3）中超导转变温度TC最高。此外，三层铜氧化物超导体表现出不寻常的相图，...
中国科学院物理所揭示三层铜氧化物超导体高临界温度的电子结构起源（图）
三层铜氧化物 超导体 电子结构
2023/10/25
自1986年铜氧化物高温超导体发现以来，探讨高温超导机理和进一步提高超导转变温度是凝聚态物理研究的核心问题。铜氧化物高温超导体的母体是反铁磁Mott绝缘体。高温超导电性是通过向母体掺入适量的载流子得以实现。有研究表明，超导转变温度TC不仅取决于铜氧面CuO2的掺杂浓度，而且依赖于晶胞中CuO2面的层数（n），且在三层体系（n=3）中超导转变温度TC最高。此外，三层铜氧化物超导体表现出不寻常的相图，...
中国科学院物理所等发现磁性外尔半金属Co3Sn2S2的表面笼目电子结构（图）
金属 电子结构 凝聚态物理
2023/10/2
基于过渡金属的笼目晶格（高加米格子，高加米格子）化合物，是探索几何阻挫、关联效应、磁性及拓扑等丰富物理性质的重要材料体系。Co3Sn2S2是具有笼目晶格的磁性外尔半金属，具有内禀反常霍尔效应、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻等新奇拓扑物性，是当今凝聚态物理中最有趣的研究对象之一。扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱等实验发现，Co3Sn2S2的部分物性与特定解理表面密切相关，如自旋轨道极化...
二维笼目（kagome）晶格体系材料由于独特的晶体构型和拥有平带、范霍夫奇点和狄拉克锥等特殊的电子结构，为研究超导、电子关联以及拓扑及其相互作用提供了理想平台。其中，笼目超导体AV3Sb5 (A=K, Rb和Cs)因新颖的电荷密度波序、向列相序以及展现出的反常霍尔效应和可能的非常规超导电性等，激发了人们在笼目体系中寻找新奇物性的兴趣。探索具有类似笼目结构的新材料和对其特征电子结构的表征，对探讨笼目...
二维笼目（kagome）晶格体系材料由于其独特的晶体构型和拥有平带、范霍夫奇点和狄拉克锥等特殊的电子结构，为研究超导、电子关联以及拓扑及其相互作用提供了一个理想的平台。其中笼目超导体AV3Sb5 (A=K, Rb和Cs)因其新颖的电荷密度波序、向列相序以及展现出的反常霍尔效应和可能的非常规超导电性等，尤其激发了人们在笼目体系中寻找新奇物性的广泛兴趣。探索具有类似笼目结构的新材料和对其特征电子结构的...
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法