搜索结果: 1-9 共查到“电磁学 磁控”相关记录9条 . 查询时间(0.165 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积工艺 动态磁控弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种磁控溅射装置及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磁控溅射
2023/12/20
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
中国科学院金属研究所专利：磁控熔炼非自耗电极电弧炉
中国科学院金属研究所 专利 磁控 熔炼 非自耗电极 电弧炉
2023/8/19
一种磁控熔炼非自耗电极电弧炉,它在现有的由可旋转的水冷铜坩埚盘、水冷电极等部件构成的非自耗电极电弧炉的基础上,另安有一个场强可调节的磁体,通过调节该磁体的磁场大小,使电弧受到不同程度的约束和聚焦。从而使熔炼过程中高熔点金属和低熔点金属都受到充分地加热和搅拌,一次起弧熔炼便可得到成分均匀的合金铸锭。本实用新型所提供的电弧熔炼炉显著地提高了工作效率并相应地降低了能耗。
由于其优越的波谱性能，太赫兹（1011~1013Hz）相关技术在通讯、安检、传感、国家安全等领域有着广泛的应用前景，被称为“改变未来世界的十大技术之一”。其广泛的工程应用依赖于多样的太赫兹元器件。相对于成熟的微波与光学技术，太赫兹源、太赫兹调制器、太赫兹探测器等太赫兹核心元器件的开发方兴未艾。
中国科学院力学所建成高能冲击磁控溅射装备系统并开放服务（图）
中国科学院力学所 磁 装备
2015/1/5
表面工程提高材料摩擦磨损、耐腐蚀性能的同时，还赋予材料新的表面功能，为解决人类发展中遇到的资源、能源等问题起到了不可替代的重要作用。作为表面工程领域的重要分支，我国亟需提升物理气相沉积（PVD）的技术能力。
利用场论的方法推导了6腔扇形腔结构相对论磁控管的色散关系, 并用牛顿迭代法对色散关系进行了求解, 得到了色散关系曲线. 利用三维PIC粒子模拟, 对该结构的相对论磁控管分别进行了冷腔和热腔研究, 冷腔研究得到了π模谐振频率为2.42GHz, 与本文理论推导的色散关系有很好的一致性. 在热腔情况下, 电子能量为437keV, 电子束流为12.2kA, 外加磁场为0.6T, 模拟得到了频率
为4.5...
柔性基材卷绕磁控镀膜产业化技术开发项目顺利通过专家评审
2008/1/7
2月22日，国家有关部委在我院主持召开了可行性研究报告专家评审会。 会上，我院柔性基材卷绕磁控镀膜产业化技术开发项目顺利通过专家评审。 专家组在认真听取了项目可行性研究报告，审查了相关资料，实地考察了现有设计、生产、检测条件后，专家组认为：该项目拟开发的柔性基材卷绕磁控镀膜产业化技术和工艺符合国家的产业政策，能够形成我国自有知识产权的高技术产品，对相关行业的技术进步和产品的升级换代将起到积极的促进...
液晶磁控偏光特性的研究
2007/8/20
利用偏光干涉理论,通过对BL-009型向列相液晶透射比的测试,分析了液晶透射比随磁场的变化情况,并对液晶的磁控双折射效应进行了研究.实验在室温20℃下用JG-3型连续可调磁场仪对液晶盒施加垂直于其表面的磁场,用CT5A型特斯拉计准确读出磁场强度数值,使液晶盒光轴方向与起偏镜和检偏镜偏振方向成45°,分别测出了起偏镜和检偏镜偏振方向平行和垂直时的透射光强度.通过数学函数拟合,得出了液晶的双折射率随磁...
磁控反应溅射SiNx薄膜的研究
2007/8/20
用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜. 分析了以硅为靶材, 用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响, 得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的, 而总气压较大的时候, 水汽影响增大, 气流比率的影响反而不明显. 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx薄膜.