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中国科学院金属研究所专利：一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积工艺 动态磁控弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备
中国科学院金属研究所 专利 PLC可控 旋转横向磁场 电弧离子设备
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动 的PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备。该电弧离子镀设备设有靶材、 旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内设置基 体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于真空室 外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与法兰套 或者炉体管道之间通过绝缘保护。本实用新型通...