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搜索结果: 1-11 共查到物理学 电弧离子镀相关记录11条 . 查询时间(0.114 秒)
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉 积装置,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高 靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套 放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布...
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动 的PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备。该电弧离子镀设备设有靶材、 旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内设置基 体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于真空室 外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与法兰套 或者炉体管道之间通过绝缘保护。本实用新型通...
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多 模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有 靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内 设置基体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于 真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与 法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本发明通...
本发明属于材料表面改性领域,涉及一种用于长管内壁镀膜的磁场和电场增强的电弧离子镀膜装置。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹,在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置,一套放在真空室外的等离子体传输通道上,即用磁场对等离子体束流进行聚焦,约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率,另一套放置于真空室内的管状工件外侧,引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散;在电弧离...
中国科学院金属研究所专利:一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种电弧离子镀铁磁性复合结构靶材。所述复合结构靶材包括高磁导率的软磁性材料靶壳与铁磁性材料靶材,所述铁磁性材料靶材与软磁性材料靶壳相连。本实用新型复合结构靶材解决了由于铁磁性靶材表面增加沟槽克服磁屏蔽时,降低了靶材使用寿命,进而本实用新型复合结构靶材解决了为改变靶面磁力线分布,在沉积系统中附加耦合磁场所带来的设备操作复杂及成本增加问题。
中国科学院金属研究所专利:一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置
利用磁过滤电弧离子镀技术在高速钢基体上制备了不同Si含量的Ti-Al-Si-N薄膜, 研究了Si含量对薄膜组织结构以及力学性能的影响. 结果表明, Ti-Al-Si-N薄膜主要由晶态TiAlN和非晶态的Si3N4组成, 随着Si含量的增加, XRD衍射峰强度减弱, 晶粒尺寸减小; 薄膜的显微组织也由明显的柱状晶转变为致密的纳米晶结构. 利用纳米硬度仪对薄膜的硬度和弹性模量进行了分析, 结果表明, ...
研究了电弧离子镀磁性靶材使用过程中发生“跑弧”并导致靶材无法稳定刻蚀的问题. 利用有限元方法(FEM)对外加磁场下非磁性靶材系统和磁性靶材系统中的磁场分布进行了模拟. 研究了外磁场对电弧斑点运动的影响机理, 并结合电弧斑点放电的物理机制, 探讨了磁性靶材与低饱和蒸气压金属靶壳、绝缘陶瓷靶壳或软磁性金属靶壳组成复合结构靶材解决磁性靶材使用问题的可行性. 结果表明, 这3种复合结构靶材设计方案均能有效...
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的TiO2薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见透射光谱仪和纳米压痕仪等手段,对不同脉冲负偏压下合成薄膜的相结构、微观结构、表面形貌、力学和光学性能进行表征.结果表明,沉积态薄膜为非晶态.脉冲负偏压对薄膜性能有明显的影响.随偏压的增加,薄膜厚度、硬度和弹性模量均先增大后减小,前者峰值出现在100—200 V负偏压范围,后两...

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