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This paper discusses the algorithm and error estimates for solving space inhomogeneous semiconductor Boltzmann equations with multi-valley, which describe the transport properties of carriers in semic...
本文利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu(100)面上的三维生长过程。模型中考虑了四个动力学过程：原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移，各动力学过程发生的概率由多体势函数确定。主要讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对Cu原子迁移、成核和表面岛生长等微观生长机制的影响；获得了Cu薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度。模拟结果表明，随基底温度升高或沉积速率下降，岛的平均尺寸增大...