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中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 ZnO/ZnS 核壳结构 一维纳米材料 单晶ZnS纳米管
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 一维 ZnO/ZnS 核壳结构 纳米阵列 单晶 ZnS纳米管阵列
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能
ZnO压敏电阻 缺陷 微观特性 内建电场
2022/3/24
电力设备的安全运行很大程度上取决于避雷器的过电压保护水平,ZnO压敏电阻因具有优异的非线性伏安特性而广泛应用于电力系统避雷器的核心元件.为了从微观结构上了解ZnO压敏电阻的电学性能,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对含有锌填隙Zni与氧空位Vo缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面进行分析计算,并研究其在不同外电场下的相关电学性质.计算结果表明,弛豫后氧空位Vo缺陷发生迁移.在外电场的作用下,填隙Z...
自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质
水浴法 自支撑 Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列 光学性质
2014/3/15
利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）、元素能谱（EDS）、X射线衍射谱（XRD）、室温和变温光致发光谱（PL）等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究。研究结果显示：这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质，在低温（85 K）下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰，通过理...
Fe、Ni共掺杂ZnO基稀磁半导体光学性能与铁磁性研究
共掺杂ZnO 水热法 光学性能 铁磁性
2014/3/16
采用水热法成功制备了不同掺杂浓度的Zn1-2xFexNixO（x=0，0.025，0.05，0.1）稀磁半导体材料，利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和X射线能量色散分析仪（XEDS）对样品进行表征，并结合拉曼（Raman）光谱、光致发光光谱（PL）和振动样品磁强计（VSM）研究样品的光学性能和磁学性能。结果表明，水热法制备的样品具有结晶性良好的纤锌矿结构，没有杂峰出现，形貌为纳米...
ZnO@GQDs核壳结构量子点的制备及性能研究
氧化锌量子点 石墨烯量子点 ZnO@GQDs核壳结构量子点 协同优化
2014/3/16
采用原位聚合法制备了以ZnO量子点为核、石墨烯量子点（GQDs）为壳的ZnO@ GQDs核壳结构量子点。通过TEM和HR-TEM对量子点进行形貌和结构的分析表征。结果表明，合成的ZnO@ GQDs核壳结构量子点为球形，粒径为～7 nm，且尺寸均匀。PL光谱研究表明，新型量子点的发射峰位于369 nm，发光峰窄、强度高;相对于ZnO的本征发射峰，GQDs的引入使得ZnO@GQDs核壳量子点的荧光发射...
N掺杂纳米ZnO的制备及光催化性能
氧化锌 光催化剂 N掺杂
2013/11/30
通过NH3等离子体后处理引入N使其进入到ZnO晶格中,制备出了N掺杂的纳米ZnO光催化剂。通过测试,研究了该样品的结构性质、表面形貌和在不同催化剂浓度、不同反应物浓度、氧气等条件下光催化降解甲基橙的降解效率。分析结果表明,N的掺杂提高了光催化剂的光催化效率。
不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
ZnO 高背景电子浓度 生长室真空 氢杂质
2013/11/30
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019 cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段...
采用热蒸发法成功制备了Al掺杂四针状ZnO纳米结构(T-AZO),利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光光谱仪和场发射测试系统分别研究了不同Al摩尔分数对T-AZO纳米结构表面形貌、微结构、光致发光谱和场发射特性的影响。实验结果表明:T-AZO纳米结构呈现六角纤锌矿结构,Al掺杂对四针状ZnO纳米结构的形貌产生明显影响并且使紫外发射峰产生蓝移。实验中,当Al掺杂摩尔分数为3%时,场发射性能最好,其...
N掺杂纳米ZnO的制备及光催化性能
氧化锌 光催化剂 N掺杂
2013/12/2
通过NH3等离子体后处理引入N使其进入到ZnO晶格中,制备出了N掺杂的纳米ZnO光催化剂。通过测试,研究了该样品的结构性质、表面形貌和在不同催化剂浓度、不同反应物浓度、氧气等条件下光催化降解甲基橙的降解效率。分析结果表明,N的掺杂提高了光催化剂的光催化效率。
Mn掺杂对ZnO：Mn薄膜结构特性的影响
ZnO Mn 拉曼 稀磁半导体
2013/9/27
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO:Mn薄膜的结构特性。 Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增...
水热法制备钼掺杂ZnO纳米结构及其光学特性研究
钼掺杂 水热法 光致发光
2013/9/27
用水热法以Zn(NO3)2·6H2O和NaOH为原料,分别以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)、聚乙烯吡咯烷酮-K30(PVP-K30)、聚乙二醇400(PEG400)、乙二胺四乙酸(EDTA)为添加剂,制备钼掺杂的纳米ZnO。扫描电镜(SEM)结果表明,通过改变添加剂的种类可以合成不同形貌钼掺杂的ZnO;X射线衍射(XRD)结果表明,掺杂的ZnO纳米粉体为六方纤锌矿结构,...
非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高
ZnO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
2013/9/28
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O 的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg...
ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展
氧化锌 薄膜晶体管 有源层 制备方法
2014/3/20
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣...