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中国科学院物理研究所超高密度自支撑纳米岛阵列的实现(图)
纳米岛阵列 磁存储容量 耦合磁性颗粒
2023/6/28
磁存储单元是用于记录海量数据的磁介质中的最小单元,也是当今较为可靠的高密度非易失性数据存储方式之一。为了进一步提高磁存储容量,必须在保证磁性纳米畴稳定和可读取的同时,尽可能的降低基本单元的尺寸。然而,磁性材料中的超顺磁效应限制了最小铁磁畴的大小。目前,研究人员普遍采用直写电子束光刻技术将高耦合磁性颗粒组成的连续磁性薄膜图像化成离散的单纳米结构,并局部调控异质结构的磁性,进一步开发纳米尺度的数据存储...
自支撑全氮化物磁性异质结的应力调控(图)
自支撑 全氮化物 磁性异质结 应力调控
2023/1/5
苏州纳米所轻量化实验室张其冲等与南洋理工大学魏磊团队等合作在Chemical Reviews发表自支撑金属有机框架及衍生物应用于能源存储与转化的综述论文(图)
张其冲 南洋理工大学 魏磊 金属有机框架 衍生物应用 能源存储
2023/7/20
2022年4月29日,中科院苏州纳米所轻量化实验室张其冲与南洋理工大学魏磊等团队合作在国际化学领域顶尖期刊Chemical Reviews发表题为Freestanding Metal-Organic Frameworks and Their Derivatives: An Emerging Platform for Electrochemical Energy Storage and Conver...
自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质
水浴法 自支撑 Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列 光学性质
2014/3/15
利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究。研究结果显示:这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质,在低温(85 K)下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰,通过理...
制备工艺对自支撑薄膜粗糙度的影响
磁过滤等离子沉积 自支撑薄膜 表面粗糙度
2009/2/9
利用磁过滤等离子沉积技术,以甜菜碱、油酸钾、抛光NaCl单晶基片、自支撑火棉胶膜和自支撑SiN薄膜为衬底制备了自支撑Ni膜。采用原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对薄膜表面形态和粗糙度进行了分析。结果表明:自支撑Ni膜的粗糙度与衬底材料密切相关,等离子体的沉积角度直接影响纳米薄膜的微观结构,采用60°倾斜沉积在自支撑火棉胶膜衬底上,可获得表面粗糙度为1.5nm的自支撑Ni膜。
真空蒸发法制备自支撑多层靶
自支撑多层靶 C~+Pb~+Co C~+Pb~+ S~+Al
2009/1/7
采用真空蒸发技术制备核物理实验用 C+ Pb+ Ni、 C+ Pb+ Co、 C+ Pb+ S+ Al多层自支撑靶膜。实验选定以1 % 肥皂液作解离剂,视不同蒸发元素,选择形状与尺寸适宜的蒸发舟。 C、 Pb、 Ni、 Co、 S、 Al膜的质量厚度分别为10~15、约100、30~60、30~60、30~50 和 10 μg·cm - 2。制备出的膜层平展,薄而均匀,无针孔。
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