搜索结果: 1-15 共查到“锗”相关记录262条 . 查询时间(0.099 秒)
本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种硫锗镉钠和硫锗镉钠红外非线性光学晶体及制备方法和应用。该化合物的化学式为Na2CdGe2S6，分子量为459.92，为硫锗镉钠单晶颗粒，该晶体的化学式为Na2CdGe2S6，分子量为459.92，非中心对称结构，为单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数a=7.312（3）Å，b=12.672（5）Å，c=11.528（4）Å，β=98.869（5）°，Z=4，...
本发明涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Li4MgGe2S7，分子量为421.67，结晶于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=16.872(6)Å，b=6.711(2)Å，c=10.156(4)；α=90°，β=95.169(5)°，γ=90°，V=1145.3(7)Å3。硫锗镁锂为无色透明的非中心对称结构晶体，以[LiS4]，...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：YB掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 YB掺杂 锗酸钆 锗酸镧 熔体法 生长方法
2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：YB掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法
本发明涉及一种硒锗镁钠中远红外双折射晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为NaMgGeSe3，分子量为356.77，结晶于三方晶系，空间群为P1m，晶胞参数为a=b=6.6594(4)，c=7.5305(5)，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为289.22(4)?3。采用高温固相法及坩埚下降法在密闭的真空石英管内制成，该晶体为单轴晶体，双折射率在0.398?0.719之间。具有较大的双折射率...
中国科学院科学家在二氧化锗熔体中发现三配位的锗原子（图）
二氧化锗熔 锗原子 光学精密
2023/11/23
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所研究员万松明团队与上海大学高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室教授尤静林团队，在二氧化锗（GeO2）熔体中发现了三配位的锗原子。2023年11月23日，相关研究成果发表在《自然-通讯》（Nature Communications）上。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 稀土 锗镓酸盐 RExLn1-xGaGe2O7 发光材料 熔体法晶体生长
2023/11/11
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院物理研究所基于锗硅纳米线和拓扑绝缘体纳米线的新型超导量子比特（图）
锗硅纳米线 拓扑绝缘体 超导量子
2023/10/26
量子计算是当前国际上竞争激烈的一个研究领域。为了实现可实用化的量子计算机，科学家们一直在寻找量子比特更好的物理载体。目前的载体包括超导约瑟夫森结、半导体量子点、金刚石色心、离子阱、冷原子、光子等等。每一种方案都在不同程度上有其优点和局限性。
中国科学院化学研究所：碱土金属锗酸盐纳米材料及其制备方法与作为锂离子电池负极材料的应用
中国科学院微电子研究所专利：一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种在溶液中锗量子点的绿色合成方法、锗量子点及其在生物成像上的应用