搜索结果: 1-13 共查到“锗硅”相关记录13条 . 查询时间(0.12 秒)
本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
中国科学院物理研究所基于锗硅纳米线和拓扑绝缘体纳米线的新型超导量子比特（图）
锗硅纳米线 拓扑绝缘体 超导量子
2023/10/26
量子计算是当前国际上竞争激烈的一个研究领域。为了实现可实用化的量子计算机，科学家们一直在寻找量子比特更好的物理载体。目前的载体包括超导约瑟夫森结、半导体量子点、金刚石色心、离子阱、冷原子、光子等等。每一种方案都在不同程度上有其优点和局限性。
中国科学院物理研究所专利：一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用
近日，浙江大学光电科学与工程学院/现代光学仪器国家重点实验室戴道锌教授团队设计了一种可采用标准流片工艺制备的锗硅雪崩光电探测器，所研制APD性能优越，实现了高达615GHz的创纪录增益带宽积GBP，并成功演示了其100 Gbps NRZ和PAM-4高速信号接收，为下一代高速硅光集成的光接收奠定了核心光器件基础，具有重要应用前景。
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...
近日，天津大学封伟教授团队在半导体二维原子晶体的可控制备和带隙调控研究上取得重要突破：在理论计算和结构设计的基础上，采用-H/-OH封端二元锗硅烯，首次获得了具有带隙可调控的二维层状锗硅烷（gersiloxene）。通过精确控制二元配比，实现了二维锗硅烷的带隙调控，并探索了其光催化领域的应用价值，为后续设计新型半导体二维原子晶体提供了重要的研究基础。相关研究成果在线发表于《自然·通讯》（Natur...
在国家基金委重点与面上项目、中科院战略性先导科技专项等资助下，福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室毛江高研究员团队将具有高极化能力的Bi3+和高配位的Cs+引入到锗酸盐中，通过高温固相，合成了一例一致熔融的锗酸盐倍频晶体：Cs2Bi2O(Ge2O7) (CBGO)。CBGO结晶于极性空间群Pca21。其中Bi3+形成了高度畸变的BiO5多面体，与Ge2O7通过共用氧原子形成七元环结构。这种Bi...
《Nano Letters》报道南京大学电子学院余林蔚教授课题组动态跳跃液滴诱导生长异质锗硅超晶格岛链纳米线结构最新进展（图）
南京大学电子学院 余林蔚 教授 动态跳跃液滴 生长异质 锗硅超 晶格岛链 纳米线结构
2018/11/13
南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授课题组，首次提出并尝试了一种全新的思路：将锗硅纳米线组分调控的切换任务，交付给在平面上滚动前进的纳米金属液滴来完成。例如，利用低熔点金属铟作为催化颗粒，以非晶a-Si/a-Ge叠层作为前驱体，铟颗粒在平面运动中在前端吸收非晶层并在后端淀积出晶态的纳米线结构。当液滴运动速度足够高的时候，由于本身“滚动”导致的内部输运涡旋作用，可自发地调制对底层a-Si/a-Ge叠...
视频：大师论坛：基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战
视频 大师论坛 基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战
2014/11/28
视频：大师论坛：基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战。
ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅
铝镁锗硅合金 ICP-AES法
2008/4/30
本文报道了用具有二维电荷注入检测器(CID)和端视等离子体炬的全谱直读等离子体光谱仪,同时测定Al-Mg-Ge-Si合金中Al-Mg-Ge-Si的方法。试样用HNO_3-HF溶解后,加H_3BO_3络合过量的F,并用其中的B为内标进行测定,以改善测量的精密度与准确度。合成试样的回收率为 99.1％～101.0％,样品测定的相对标准偏差小于1％。方法简便、准确,用于样品分析,结果满意。
锗硅量子阱结构带间吸收边研究
2007/8/20
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化.通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1.043 eV和1.050 eV.随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动.通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好.随着温...