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非线性光学效应轨道杂化模型及其在紫外倍频晶体设计中的应用。
中国科学院化学研究所专利:有机无机杂化室温金属性分子磁体及其制备方法
2023年4月27日下午15:00,“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行,报告由翟亚新教授主讲,廖洁桥副院长主持,学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
2023年1月,中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学研究组 (1121组) 吴凯丰研究员与杜骏副研究员团队在量子点—有机分子能量传递机制与应用的研究中取得新进展,采用低毒性的CuInSe2量子点结合并四苯分子,实现了该类杂化体系在近红外波段的热延迟发光。
2023年1月12日,中国科学院大连化学物理研究院光电材料动力学研究组 (1121组) 吴凯丰研究员与杜骏副研究员团队在量子点—有机分子能量传递机制与应用的研究中取得新进展,采用低毒性的CuInSe2量子点结合并四苯分子,实现了该类杂化体系在近红外波段的热延迟发光。
2023年1月12日,中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学研究组研究员吴凯丰与杜骏副研究员团队在量子点—有机分子能量传递机制与应用的研究中取得新进展,采用低毒性的CuInSe2量子点结合并四苯分子,实现了该类杂化体系在近红外波段的热延迟发光。
2022年6月10日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组(508组)吴忠帅研究员团队,提出了通过油墨直写成型和熔融沉积成型两种3D打印方法,构建全打印可定制水系锌离子杂化电容器的新策略。团队利用该策略,构筑了具有分级多孔结构的高面容量正极,以及无枝晶稳定结构的锌金属负极,制备出高比能、长循环稳定的锌离子杂化电容器。
有机无机杂化钙钛矿材料因优异的光伏性能备受关注;研究其原子结构,有助于理解其光伏性能、由结构不稳定性所导致的器件失效机理。然而,由于该类材料极其敏感,对常规透射电子显微镜的原子尺度成像方法提出挑战,迄今尚未在原子尺度上捕捉到甲胺铅碘CH3NH3PbI3(MAPbI3)的无损伤原始结构。
无铅低维有机-无机金属卤化物材料由于其优异的光物理性能和化学稳定性,最近引发了广泛的关注。本团队报告了一种新型的零维有机-无机杂化单晶 (TMA)2SbCl5·DMF (TMA=N(CH3)3, DMF=HCON(CH3)2),其表现出典型的自陷激子STE发射,在 630 nm 处具有高效的黄色发射和 高达67.2% 的发光量子产率。双 STE 发射模式分别归因于无机 [SbCl5]2- 中的单线...
铅卤钙钛矿材料由于其优异的光致和电致发光性能,如大的吸收系数、高的载流子迁移率和发光量子产率等,在太阳能电池、发光二极管等领域具有重要的应用前景。然而,铅的毒性及较差的物化及光稳定性限制了其实际应用。为了降低毒性及改善发光性能,无铅金属卤化物得到了广泛的研究,但他们通常在紫外区域有强的吸收,很难被商用蓝光芯片激发,从而限制了其在WLEDs的发光效率与应用。因此我们基于广西的丰富锰资源, 开展锰基钙...
压电晶体被广泛地应用于制作换能器、传感器、滤波器等一系列的器件,在国民经济各个领域都起着重要的作用。人们在提高压电晶体应变量方面付出了许多努力。其中,铁电或压电材料、形状记忆合金的铁弹性过渡态具有可逆的大应变。然而,使用传统的铁电材料来打开大应变铁弹性开关非常具有挑战性。鉴于材料的压电响应是极化与刚度的比值,可以预测具有高剩余极化率和低刚度的材料将产生较大的压电响应。但是在现实中,人们常常发现柔性...
近日,南方科技大学物理系讲席教授王峻岭和南洋理工大学教授范红金团队合作在压电材料领域取得重要进展,首次合成新型有机-无机杂化铁电材料,实现了高达21.5%的剪切应变,超过行业标准的PZT压电陶瓷两个数量级。相关研究成果以“Ferroelastic-switching-driven large shear strain and piezoelectricity in a hybrid ferroel...
长期以来,对重费米子物理的理解主要基于平均场方法所提供的静态杂化图像。该图像认为f电子在相干温度T*之下会在费米面附近与导带发生杂化,从而形成重电子能带,并产生直接和间接杂化带隙,引起f电子的局域-巡游转变。但是近些年来,有越来越多的实验证据表明,真正理解重费米子的局域-巡游转变物理必须超越平均场理论的简化图像。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心EX9组的杨义峰研究员与合作者一起,对...
南京大学固体微结构物理国家重点实验室、现代工程与应用科学学院、物理学院、人工微结构科学与技术协同创新中心的何程、卢明辉和陈延峰研究团队与张海军课题组合作,在理论上设计和实验上研制了一种特殊的杂化三维声学拓扑绝缘态。与一般三维拓扑绝缘体表面的狄拉克锥(各方向均为线性色散)不同,该声学拓扑表面态具有方向性色散:沿一个方向为线性,另一方向则为二次型。该工作展示了通过人工微结构设计、调控、操纵拓扑声学表面...
掩膜法被大量应用于集成电路中,通常用选定的图像、图形或物体,对处理的基板材料进行遮挡,从而对内部材料进行刻蚀处理。用于被处理材料表面进行覆盖的特定图像或物体称为掩膜,通常我们所指的掩膜都是二维的,同时现有掩膜法的分辨率通常在十几纳米至几微米之间。

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