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搜索结果: 1-5 共查到氧化物薄膜相关记录5条 . 查询时间(0.239 秒)
中国科学院合肥物质科学研究院专利:P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
作为长波红外底折射率材料的十种稀土氟化物和稀土氧化物薄膜研究。
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显示驱动无...
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...

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