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氧化物薄膜
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相关记录5条 . 查询时间(0.239 秒)
中国科学院合肥物质科学研究院专利:P型铜铁矿结构透明导电
氧化物薄膜
的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院
专利
P型铜铁矿
结构透明
导电氧化物薄膜
2023/11/20
中国科学院合肥物质科学研究院专利:P型铜铁矿结构透明导电
氧化物薄膜
的制备方法
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原文地址
文献传递
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
氧化物薄膜
晶体管人工光电突触研究取得进展(图)
氧化物薄膜
晶体管
人工光电突触
2023/9/13
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而,随着网络化和信息化的发展,基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体,有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶
氧化物
半导体
薄膜
晶体管(TFT)作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此,基于
氧化物
TFT的创新器件在产业工...
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文献传递
作为长波红外底折射率材料的十种稀土氟
化物
和稀土
氧化物薄膜
研究
长波红外底
折射率材料
稀土氟化物
薄膜
2023/8/25
作为长波红外底折射率材料的十种稀土氟
化物
和稀土
氧化物薄膜
研究。
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文献传递
中国科学院宁波材料技术与工程研究所等在高迁、高稳
氧化物薄膜
晶体管研究方面取得进展(图)
氧化物 薄膜晶体管 非晶硅面板
2023/4/7
由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶
氧化物
InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶
氧化物薄膜
晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs 左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,现有显示驱动无...
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文献传递
N2O处理对背沟刻蚀金属
氧化物薄膜
晶体管性能的影响
金属氧化物半导体
背沟道刻蚀
薄膜晶体管
N2O等离子体
2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌
氧化物
半导体作为
薄膜
晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀
薄膜
晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对
薄膜
晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属
氧化物
半导体材料可以...
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